日前，寧波時代全芯科技有限公司正式發(fā)布中國自主研發(fā)的第一款具有自主知識產(chǎn)權的55納米相變存儲技術，為中國半導體存儲廠商在云計算和大數(shù)據(jù)時代開辟了一條自主創(chuàng)“芯”之路，結束了中國芯片存儲技術長期依靠進口，徹底打破了中國的“無芯”時代。發(fā)布會現(xiàn)場，寧波市政府相關部門的領導、寧波鄞州工業(yè)園區(qū)的領導、行業(yè)專家和教授以及客戶代表、媒體記者約200人見證了55納米相變存儲技術的發(fā)布。

從靜態(tài)隨機存儲技術（SRAM）到動態(tài)隨機存儲技術（DRAM）再到當前熱門的閃存技術（Flash），人類對于存儲性能的追求是無止境的。在云計算、大數(shù)據(jù)時代，數(shù)據(jù)的迅猛增長對存儲的處理性能提出了更高的甚至近乎苛刻的要求。近幾年才逐漸步入商品化的新一代存儲技術——相變存儲（PCM），以高性能著稱，具有替代傳統(tǒng)存儲甚至閃存的能力，由此勢必將引發(fā)存儲市場的新一輪變革。

據(jù)悉，第一批商業(yè)化的PCM產(chǎn)品預計在今年內(nèi)推出，而其主流產(chǎn)品，如替代傳統(tǒng)硬盤的固態(tài)硬盤將于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等少數(shù)幾家國外廠商擁有商品化的相變存儲器，而寧波時代全芯科技有限公司自主研發(fā)的55納米相變存儲技術讓中國人第一次闖入了以前由外國廠商壟斷的相變存儲市場。