聯(lián)電聯(lián)手SuVolta開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù)
[導讀]聯(lián)華電子(UMC)與新創(chuàng)公司SuVolta宣布聯(lián)手開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù),瞄準行動應(yīng)用。該制程將SuVolta的深度耗盡信道(DeeplyDepletedChannel;DDC)晶體管技術(shù)整合到聯(lián)電的28奈米High-K/MetalGate(HKMG)高效能行動(HPM)制
聯(lián)華電子(UMC)與新創(chuàng)公司SuVolta宣布聯(lián)手開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù),瞄準行動應(yīng)用。該制程將SuVolta的深度耗盡信道(DeeplyDepletedChannel;DDC)晶體管技術(shù)整合到聯(lián)電的28奈米High-K/MetalGate(HKMG)高效能行動(HPM)制程。SuVolta與聯(lián)電正密切合作,利用DDC技術(shù)的優(yōu)勢來降低功耗,并提高SRAM的低電壓效能。
SuVolta表示,采用該公司DDC晶體管技術(shù)以65nm平面CMOS制程制造的ARMCortex-Mo處理器核心,可實現(xiàn)最低功耗水準。DDC技術(shù)采用摻雜技術(shù)開發(fā)電晶體基底平面,從而可為目前的FDSOI與FinFET制程帶來一種可打造低功耗邏輯晶體管的替代方式。SuVolta的DDC技術(shù)可實現(xiàn)類似FDSOI制程的結(jié)果,但卻能避免使用SOI初始晶圓的高額成本。
SuVolta表示,該公司目前已經(jīng)與業(yè)界主要的半導體制造商共同展開6項DDC計劃部署了,包括從65nm到20nm制程。SuVolta先前曾與FujitsuSemiconductor合作,后來也傳與Globalfoundries聯(lián)手。該公司不只在行動應(yīng)用處理器看到了巨大的市場機會,同時也著眼于DRAM、影像與微控制器等可發(fā)揮其降低內(nèi)存功耗的領(lǐng)域。
SuVoltaDDCPowerShrink低功耗技術(shù)與65nm平面CMOS制程比較(來源:SuVolta)
根據(jù)SuVolta表示,相較于同樣采用65nmCMOS制程且作業(yè)于1.2V電壓的ARMCortex-M0處理器,利用DDC晶體管的ARM處理器在0.9V作業(yè)時的建置更具優(yōu)勢,包括在相同350MHz時脈頻率時的功耗更低50%;在相同功耗條件時,時脈頻率更增加35%;或在相同工作電壓時實現(xiàn)更高55%的時脈頻率。
ARM處理器部門策略與行銷副總裁NoelHurley表示:“ARM的傳承基于低功耗,因此能進一步改進功耗的技術(shù),如SuVolta的DDC總是深受ARM及其合作伙伴的歡迎。SuVolta展示了DDC技術(shù)在ARM處理器的應(yīng)用,可進一步降低功耗或顯著提高效能。隨著物聯(lián)網(wǎng)的擴展,可應(yīng)用于傳感器和其它組件的創(chuàng)新型超低功耗技術(shù)對于確立ARM在這場機遇中的主導地位至關(guān)重要?!?BR>
聯(lián)電則與SuVolta共同利用DDC技術(shù)提供兩種高度靈活的應(yīng)用方式:透過DDCPowerShrink低功耗平臺,所有晶體管都能用DDC技術(shù)實現(xiàn)最佳功耗與效能優(yōu)勢;以及透過DDCDesignBoost晶體管調(diào)換選項,以DDC晶體管取代現(xiàn)有設(shè)計中部分晶體管。該選項的典型應(yīng)用是用DDC晶體管取代泄漏功耗大的晶體管來降低泄漏,或者取代SRAM位單元晶體管從而提高效能并降低最低工作電壓(Vmin)。
聯(lián)電先進技術(shù)開發(fā)處副總游萃蓉表示,在接下來的幾周或者幾個月,可望看到聯(lián)電與SuVolta共同開發(fā)的結(jié)果,從而進一步驗證DDC技術(shù)為聯(lián)電28奈米HKMG制程帶來的功耗與效能優(yōu)勢。透過將SuVolta的先進技術(shù)導入聯(lián)電HKMG制程,聯(lián)電將提供28奈米行動運算制程平臺,以完善現(xiàn)有的Poly-SiON及HKMG技術(shù)?!?BR>
SuVolta公司行銷與業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁JeffLewis預計,SuVoltaDDC技術(shù)與聯(lián)電28nmHKMG制程的整合過程可能花費一年的時間,其間將采用ARM測試芯片也是這項合作關(guān)系的一部分。預計該制程技術(shù)可在2014年提供給第三方廠商使用,并于2015年量產(chǎn)芯片。
SemicoResearch公司市場分析RichWawrzyniak表示,SuVolta的技術(shù)采用平面CMOS晶體管與BulkCMOS制程,在提高性能的同時也降低了主動功耗與待機功耗。IHS公司分析師LenJelinek則表示,“DDC技術(shù)可實現(xiàn)微縮至更小制程節(jié)點的好處,而不至于明顯增加設(shè)計成本,或移植到3D或FDSOI等新制程技術(shù)?!?BR>
SuVolta還宣布聘請LouisParrillo作為該公司運營長(COO),主導SuVoltaDDC技術(shù)與幾家合作伙伴的整合計劃。LouisParrillo曾經(jīng)任職UnitySemiconductor、Freescale、Spansion與Motorola等公司。
SuVolta表示,采用該公司DDC晶體管技術(shù)以65nm平面CMOS制程制造的ARMCortex-Mo處理器核心,可實現(xiàn)最低功耗水準。DDC技術(shù)采用摻雜技術(shù)開發(fā)電晶體基底平面,從而可為目前的FDSOI與FinFET制程帶來一種可打造低功耗邏輯晶體管的替代方式。SuVolta的DDC技術(shù)可實現(xiàn)類似FDSOI制程的結(jié)果,但卻能避免使用SOI初始晶圓的高額成本。
SuVolta表示,該公司目前已經(jīng)與業(yè)界主要的半導體制造商共同展開6項DDC計劃部署了,包括從65nm到20nm制程。SuVolta先前曾與FujitsuSemiconductor合作,后來也傳與Globalfoundries聯(lián)手。該公司不只在行動應(yīng)用處理器看到了巨大的市場機會,同時也著眼于DRAM、影像與微控制器等可發(fā)揮其降低內(nèi)存功耗的領(lǐng)域。
SuVoltaDDCPowerShrink低功耗技術(shù)與65nm平面CMOS制程比較(來源:SuVolta)
根據(jù)SuVolta表示,相較于同樣采用65nmCMOS制程且作業(yè)于1.2V電壓的ARMCortex-M0處理器,利用DDC晶體管的ARM處理器在0.9V作業(yè)時的建置更具優(yōu)勢,包括在相同350MHz時脈頻率時的功耗更低50%;在相同功耗條件時,時脈頻率更增加35%;或在相同工作電壓時實現(xiàn)更高55%的時脈頻率。
ARM處理器部門策略與行銷副總裁NoelHurley表示:“ARM的傳承基于低功耗,因此能進一步改進功耗的技術(shù),如SuVolta的DDC總是深受ARM及其合作伙伴的歡迎。SuVolta展示了DDC技術(shù)在ARM處理器的應(yīng)用,可進一步降低功耗或顯著提高效能。隨著物聯(lián)網(wǎng)的擴展,可應(yīng)用于傳感器和其它組件的創(chuàng)新型超低功耗技術(shù)對于確立ARM在這場機遇中的主導地位至關(guān)重要?!?BR>
聯(lián)電則與SuVolta共同利用DDC技術(shù)提供兩種高度靈活的應(yīng)用方式:透過DDCPowerShrink低功耗平臺,所有晶體管都能用DDC技術(shù)實現(xiàn)最佳功耗與效能優(yōu)勢;以及透過DDCDesignBoost晶體管調(diào)換選項,以DDC晶體管取代現(xiàn)有設(shè)計中部分晶體管。該選項的典型應(yīng)用是用DDC晶體管取代泄漏功耗大的晶體管來降低泄漏,或者取代SRAM位單元晶體管從而提高效能并降低最低工作電壓(Vmin)。
聯(lián)電先進技術(shù)開發(fā)處副總游萃蓉表示,在接下來的幾周或者幾個月,可望看到聯(lián)電與SuVolta共同開發(fā)的結(jié)果,從而進一步驗證DDC技術(shù)為聯(lián)電28奈米HKMG制程帶來的功耗與效能優(yōu)勢。透過將SuVolta的先進技術(shù)導入聯(lián)電HKMG制程,聯(lián)電將提供28奈米行動運算制程平臺,以完善現(xiàn)有的Poly-SiON及HKMG技術(shù)?!?BR>
SuVolta公司行銷與業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁JeffLewis預計,SuVoltaDDC技術(shù)與聯(lián)電28nmHKMG制程的整合過程可能花費一年的時間,其間將采用ARM測試芯片也是這項合作關(guān)系的一部分。預計該制程技術(shù)可在2014年提供給第三方廠商使用,并于2015年量產(chǎn)芯片。
SemicoResearch公司市場分析RichWawrzyniak表示,SuVolta的技術(shù)采用平面CMOS晶體管與BulkCMOS制程,在提高性能的同時也降低了主動功耗與待機功耗。IHS公司分析師LenJelinek則表示,“DDC技術(shù)可實現(xiàn)微縮至更小制程節(jié)點的好處,而不至于明顯增加設(shè)計成本,或移植到3D或FDSOI等新制程技術(shù)?!?BR>
SuVolta還宣布聘請LouisParrillo作為該公司運營長(COO),主導SuVoltaDDC技術(shù)與幾家合作伙伴的整合計劃。LouisParrillo曾經(jīng)任職UnitySemiconductor、Freescale、Spansion與Motorola等公司。





