臺積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

時間：2013-04-18 14:40:51

關(guān)鍵字：臺積電 FINFET 電壓 ARMA

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[導讀]隨著移動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對更高的半導體制程的需求再度進入了一個高速發(fā)展的階段。作為全球半導體代工市場的老大，臺積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺積電的一舉一動也頗受關(guān)注。日前，臺積電宣

隨著移動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對更高的半導體制程的需求再度進入了一個高速發(fā)展的階段。作為全球半導體代工市場的老大，臺積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺積電的一舉一動也頗受關(guān)注。日前，臺積電宣布已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造10nm的芯片。

在年初舉行的半導體大會上，臺積電就展示了其FinFET工藝晶圓，不過當時臺積電并沒有透露FinFET工藝計劃將提前。

臺積電首席技術(shù)官孫元成(JackSun)表示：“我們對16nmFinFET工藝在明年的黃金時代(量產(chǎn))充滿信心?！彼€披露，16nm目前正在使用128MbSRAM進行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預期”。標準單元、內(nèi)存單元等基礎(chǔ)性IP都已經(jīng)做好了準備，但是關(guān)鍵內(nèi)部模塊的測試要到6月份才會開始。

據(jù)悉，64-bitARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm32-bitARMA9高出多達90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大約40%。

未來一段時間，半導體代工行業(yè)的升級競賽將在三星、臺積電以及GF之間上演，究竟誰能夠更早的拿出20nm甚至16nm技術(shù)將關(guān)系到整個半導體產(chǎn)業(yè)的前進步伐。