[導讀]6月20日消息,中芯國際和燦芯半導體宣布,采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARMCortex-A9MPCore雙核芯片測試結果達到1.3GHz。該測試芯片基于ARMCortex-A9雙核處理器設計,采用中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一
6月20日消息,中芯國際和燦芯半導體宣布,采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARMCortex-A9MPCore雙核芯片測試結果達到1.3GHz。
該測試芯片基于ARMCortex-A9雙核處理器設計,采用中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個32KBI-cache和32KBD-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARMNEON、調試和追蹤的ARMCoreSight等等,另外還透過AMBAAXI總線集成了內建SRAM與DMA、NORflash、SDRAM、VGA等介面。除了高速標準單元庫以外,該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫以提高性能。
該測試芯片基于ARMCortex-A9雙核處理器設計,采用中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個32KBI-cache和32KBD-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARMNEON、調試和追蹤的ARMCoreSight等等,另外還透過AMBAAXI總線集成了內建SRAM與DMA、NORflash、SDRAM、VGA等介面。除了高速標準單元庫以外,該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫以提高性能。





