臺(tái)積電訂單外溢聯(lián)電急擴(kuò)28奈米產(chǎn)能
[導(dǎo)讀]隨超乎預(yù)期的市場(chǎng)需求，臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)28奈訂單外溢使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等其它晶圓代工廠受惠。其中聯(lián)電因應(yīng)客戶需求，沖刺28奈米產(chǎn)能并為明年20奈米作準(zhǔn)備，24日將
隨超乎預(yù)期的市場(chǎng)需求，臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)28奈訂單外溢使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等其它晶圓代工廠受惠。其中聯(lián)電因應(yīng)客戶需求，沖刺28奈米產(chǎn)能并為明年20奈米作準(zhǔn)備，24日將舉行南科12吋廠Fab12A第5期及第6期動(dòng)土典禮。
聯(lián)電表示，已取得至少80個(gè)28奈米晶片設(shè)計(jì)案，并已有15個(gè)晶片完成設(shè)計(jì)定案（tape-out）。分析師指出，聯(lián)電現(xiàn)階段28奈米最大的訂單，來(lái)自于德儀新款多核心ARM架構(gòu)應(yīng)用處理器OMAP5，同時(shí)，高通整合型基頻晶片也已正式下單聯(lián)電，雙方已進(jìn)入試產(chǎn)階段，希望第3季就能進(jìn)入量產(chǎn)。
聯(lián)電本月24日將舉行南科12吋廠Fab12A的第5期及第6期動(dòng)土典禮，兩期工程完工后可提供5～6萬(wàn)片月產(chǎn)能，預(yù)計(jì)明年中旬前完成廠房建置及機(jī)臺(tái)移入，明年底前開(kāi)始投片生產(chǎn)。新廠除了支援28奈米產(chǎn)能，也將是聯(lián)電未來(lái)20奈米主要生產(chǎn)重鎮(zhèn)。聯(lián)電為沖刺28奈米產(chǎn)能并為明年20奈米作準(zhǔn)備，24日將舉行南科12吋廠Fab12A第5期及第6期動(dòng)土典禮，業(yè)界預(yù)期，執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉屆時(shí)可望再釋出第3季產(chǎn)能沖上滿載好消息。
聯(lián)電表示，已取得至少80個(gè)28奈米晶片設(shè)計(jì)案，并已有15個(gè)晶片完成設(shè)計(jì)定案（tape-out）。分析師指出，聯(lián)電現(xiàn)階段28奈米最大的訂單，來(lái)自于德儀新款多核心ARM架構(gòu)應(yīng)用處理器OMAP5，同時(shí)，高通整合型基頻晶片也已正式下單聯(lián)電，雙方已進(jìn)入試產(chǎn)階段，希望第3季就能進(jìn)入量產(chǎn)。
聯(lián)電本月24日將舉行南科12吋廠Fab12A的第5期及第6期動(dòng)土典禮，兩期工程完工后可提供5～6萬(wàn)片月產(chǎn)能，預(yù)計(jì)明年中旬前完成廠房建置及機(jī)臺(tái)移入，明年底前開(kāi)始投片生產(chǎn)。新廠除了支援28奈米產(chǎn)能，也將是聯(lián)電未來(lái)20奈米主要生產(chǎn)重鎮(zhèn)。聯(lián)電為沖刺28奈米產(chǎn)能并為明年20奈米作準(zhǔn)備，24日將舉行南科12吋廠Fab12A第5期及第6期動(dòng)土典禮，業(yè)界預(yù)期，執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉屆時(shí)可望再釋出第3季產(chǎn)能沖上滿載好消息。
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