臺積電：10年內(nèi)微縮至5nm沒問題
[導(dǎo)讀]摩爾定律(Moore"sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來臨，將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項大革命，全球半導(dǎo)體廠都在思索未來趨勢，臺積電技術(shù)長孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3DIC技術(shù)相輔相成，朝省電、體積小等特性鉆
摩爾定律(Moore"sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來臨，將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項大革命，全球半導(dǎo)體廠都在思索未來趨勢，臺積電技術(shù)長孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3DIC技術(shù)相輔相成，朝省電、體積小等特性鉆研，將會柳暗花明又一村，未來10年內(nèi)持續(xù)微縮至7奈米、甚至是5nm都不成問題。
晶圓尺寸持續(xù)從4吋、5吋、6吋、8吋一直擴展至12吋晶圓世代，原本2011年開始準(zhǔn)備迎接18?晶圓世代來臨，但直至現(xiàn)在18吋晶圓技術(shù)和機臺設(shè)備仍在研發(fā)階段。孫元成表示，2009年全球金融海嘯來襲，導(dǎo)致全球轉(zhuǎn)進18吋晶圓世代時間點又晚2年，然除晶圓尺寸外，外界認(rèn)為摩爾定律已達極限說法，其實未必適用。
孫元成表示，只要加入一些創(chuàng)新元素，如3DIC技術(shù)配合，摩爾定律可一直走下去，在未來10年內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)微縮至7nm、5nm都是可行的，因為摩爾定律理念或3DIC技術(shù)有互補功效，都是把系統(tǒng)產(chǎn)品作小、成本作低，且降低耗電量，非常符合現(xiàn)在整個半導(dǎo)體硅晶圓產(chǎn)業(yè)聚焦行動通訊應(yīng)用趨勢。
臺積電已與英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等半導(dǎo)體大廠共同成立Global450Consortium計劃!，在美國紐約州Albany研發(fā)18吋晶圓技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，若摩爾定律在10奈米制程以下浮現(xiàn)無法克服的極限，對于半導(dǎo)體大廠將非常不利，等于技術(shù)走到瓶頸，等著所有后進者蜂擁而至追趕，因此，這些大廠一定要轉(zhuǎn)進18吋晶圓，用技術(shù)和資金筑起厚實的競爭圍墻。
不過，臺積電指出，現(xiàn)在來講摩爾定律是否到極限其實還太早，因為可加入許多創(chuàng)新技術(shù)，來輔助摩爾定律持續(xù)走下去。比利時微電子(IMEC)營運長LucVanDenHove亦指出，半導(dǎo)體技術(shù)在90~65nm制程是采用StrainedSi技術(shù)，在45~28奈米階段是用High-K金屬閘極技術(shù)(HKMG)，而22nm以下一直到14nm制程，則會轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。
至于在10nm制程以下技術(shù)，臺積電則表示，現(xiàn)在來看是要采用極紫外光微影制程(EUV)，或是多電子光束無光罩微影技術(shù)。
晶圓尺寸持續(xù)從4吋、5吋、6吋、8吋一直擴展至12吋晶圓世代，原本2011年開始準(zhǔn)備迎接18?晶圓世代來臨，但直至現(xiàn)在18吋晶圓技術(shù)和機臺設(shè)備仍在研發(fā)階段。孫元成表示，2009年全球金融海嘯來襲，導(dǎo)致全球轉(zhuǎn)進18吋晶圓世代時間點又晚2年，然除晶圓尺寸外，外界認(rèn)為摩爾定律已達極限說法，其實未必適用。
孫元成表示，只要加入一些創(chuàng)新元素，如3DIC技術(shù)配合，摩爾定律可一直走下去，在未來10年內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)微縮至7nm、5nm都是可行的，因為摩爾定律理念或3DIC技術(shù)有互補功效，都是把系統(tǒng)產(chǎn)品作小、成本作低，且降低耗電量，非常符合現(xiàn)在整個半導(dǎo)體硅晶圓產(chǎn)業(yè)聚焦行動通訊應(yīng)用趨勢。
臺積電已與英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等半導(dǎo)體大廠共同成立Global450Consortium計劃!，在美國紐約州Albany研發(fā)18吋晶圓技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，若摩爾定律在10奈米制程以下浮現(xiàn)無法克服的極限，對于半導(dǎo)體大廠將非常不利，等于技術(shù)走到瓶頸，等著所有后進者蜂擁而至追趕，因此，這些大廠一定要轉(zhuǎn)進18吋晶圓，用技術(shù)和資金筑起厚實的競爭圍墻。
不過，臺積電指出，現(xiàn)在來講摩爾定律是否到極限其實還太早，因為可加入許多創(chuàng)新技術(shù)，來輔助摩爾定律持續(xù)走下去。比利時微電子(IMEC)營運長LucVanDenHove亦指出，半導(dǎo)體技術(shù)在90~65nm制程是采用StrainedSi技術(shù)，在45~28奈米階段是用High-K金屬閘極技術(shù)(HKMG)，而22nm以下一直到14nm制程，則會轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。
至于在10nm制程以下技術(shù)，臺積電則表示，現(xiàn)在來看是要采用極紫外光微影制程(EUV)，或是多電子光束無光罩微影技術(shù)。
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