瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程
[導(dǎo)讀]DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶(hù)需要40納米制
DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶(hù)需要40納米制程產(chǎn)品，因此保留2萬(wàn)片產(chǎn)能在40納米，在制程轉(zhuǎn)進(jìn)成功后，預(yù)計(jì)成本可進(jìn)一步下滑，雖然相較于目前DRAM報(bào)價(jià)仍是虧錢(qián)，但仍是臺(tái)廠(chǎng)中競(jìng)爭(zhēng)力最強(qiáng)的業(yè)者。
瑞晶一向是臺(tái)系DRAM廠(chǎng)中制程轉(zhuǎn)換速度最快的業(yè)者，旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)領(lǐng)先在2011年轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程，日前又在30納米制程上搶得頭籌，且比原訂進(jìn)度提前1個(gè)月達(dá)陣，在全球競(jìng)爭(zhēng)力上更上一層樓。
瑞晶原本預(yù)定在2011年底前，將旗下所有產(chǎn)能都轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，但現(xiàn)在已提前在11月達(dá)成此目標(biāo)，目前12寸晶圓廠(chǎng)已全數(shù)用30納米制程技術(shù)投片，但因?yàn)闋柋剡_(dá)客戶(hù)臨時(shí)希望能有部分40納米制程產(chǎn)品可以出貨，因此瑞晶臨時(shí)保留約2萬(wàn)片產(chǎn)能用于40納米制程。
業(yè)者分析，2011年第4季以來(lái)DRAM報(bào)價(jià)受到泰國(guó)水患硬盤(pán)缺貨影響，再度緩跌直達(dá)冰點(diǎn)，報(bào)價(jià)幾乎直探歷史低點(diǎn)，即使用最先進(jìn)的30納米制程生產(chǎn)也仍是虧錢(qián)，不過(guò)，瑞晶能提前完成制程轉(zhuǎn)換，在技術(shù)實(shí)力上仍證明已大幅拉近和國(guó)際大廠(chǎng)間的競(jìng)爭(zhēng)差距，屆時(shí)若報(bào)價(jià)止跌反彈，也會(huì)是最大的受益者。
根據(jù)分析，以30納米制程生產(chǎn)2GbDDR3芯片含封裝測(cè)試的成本約1.1~1.2美元，雖然制程微縮讓芯片成本下滑，但仍卡在封測(cè)成本仍相當(dāng)高，而若以30納米制程生產(chǎn)4Gb芯片，成本則可降至2美元水平。
由于瑞晶的生產(chǎn)成本極具優(yōu)勢(shì)，且每一世代的制程轉(zhuǎn)換速度都優(yōu)于原訂目標(biāo)，是少數(shù)有機(jī)會(huì)追趕三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等韓系大廠(chǎng)的DRAM廠(chǎng)，瑞晶母公司爾必達(dá)在成本考量，加上日幣大幅升值下，未來(lái)也會(huì)加速將DRAM生產(chǎn)基地移到瑞晶生產(chǎn)，以符合PCDRAM的生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。
瑞晶一向是臺(tái)系DRAM廠(chǎng)中制程轉(zhuǎn)換速度最快的業(yè)者，旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)領(lǐng)先在2011年轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程，日前又在30納米制程上搶得頭籌，且比原訂進(jìn)度提前1個(gè)月達(dá)陣，在全球競(jìng)爭(zhēng)力上更上一層樓。
瑞晶原本預(yù)定在2011年底前，將旗下所有產(chǎn)能都轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，但現(xiàn)在已提前在11月達(dá)成此目標(biāo)，目前12寸晶圓廠(chǎng)已全數(shù)用30納米制程技術(shù)投片，但因?yàn)闋柋剡_(dá)客戶(hù)臨時(shí)希望能有部分40納米制程產(chǎn)品可以出貨，因此瑞晶臨時(shí)保留約2萬(wàn)片產(chǎn)能用于40納米制程。
業(yè)者分析，2011年第4季以來(lái)DRAM報(bào)價(jià)受到泰國(guó)水患硬盤(pán)缺貨影響，再度緩跌直達(dá)冰點(diǎn)，報(bào)價(jià)幾乎直探歷史低點(diǎn)，即使用最先進(jìn)的30納米制程生產(chǎn)也仍是虧錢(qián)，不過(guò)，瑞晶能提前完成制程轉(zhuǎn)換，在技術(shù)實(shí)力上仍證明已大幅拉近和國(guó)際大廠(chǎng)間的競(jìng)爭(zhēng)差距，屆時(shí)若報(bào)價(jià)止跌反彈，也會(huì)是最大的受益者。
根據(jù)分析，以30納米制程生產(chǎn)2GbDDR3芯片含封裝測(cè)試的成本約1.1~1.2美元，雖然制程微縮讓芯片成本下滑，但仍卡在封測(cè)成本仍相當(dāng)高，而若以30納米制程生產(chǎn)4Gb芯片，成本則可降至2美元水平。
由于瑞晶的生產(chǎn)成本極具優(yōu)勢(shì)，且每一世代的制程轉(zhuǎn)換速度都優(yōu)于原訂目標(biāo)，是少數(shù)有機(jī)會(huì)追趕三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等韓系大廠(chǎng)的DRAM廠(chǎng)，瑞晶母公司爾必達(dá)在成本考量，加上日幣大幅升值下，未來(lái)也會(huì)加速將DRAM生產(chǎn)基地移到瑞晶生產(chǎn)，以符合PCDRAM的生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。
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