半導(dǎo)體三王聯(lián)手日經(jīng)：臺(tái)積電將加入國(guó)際制程研發(fā)聯(lián)盟

時(shí)間：2011-06-13 10:56:35

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體臺(tái)積電晶片 EUV

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[導(dǎo)讀]傳臺(tái)積電將加入國(guó)際制程研發(fā)聯(lián)盟《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周五報(bào)導(dǎo)，日本RenesasElectronics(6723-JP)(瑞薩電子)和臺(tái)積電(2330-TW)，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代晶片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開(kāi)始研發(fā)

傳臺(tái)積電將加入國(guó)際制程研發(fā)聯(lián)盟

《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周五報(bào)導(dǎo)，日本RenesasElectronics(6723-JP)(瑞薩電子)和臺(tái)積電(2330-TW)，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代晶片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。

該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開(kāi)始研發(fā)EUV(超紫外光)微影技術(shù)，目標(biāo)在2015年底前結(jié)束。企業(yè)成員將運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)增進(jìn)自家產(chǎn)品的表現(xiàn)，如快閃記憶體和系統(tǒng)晶片等。

英特爾與三星電子都已加入，如今再加上臺(tái)積電，意味半導(dǎo)體三王將攜手合作。

此外，全球市占具一定份量的日本半導(dǎo)體材料業(yè)者，包括AsahiGlassCo.(5201-JP)、Shin-EtsuChemicalCo.(4063-JP)、HoyaCorp.(7741-JP)、FujifilmHoldingsCorp.(4901-US)與NissanChemicalIndustriesLtd.等，也將加入該聯(lián)盟。

聯(lián)盟成員將派遣約40名工程師，在日本茨城縣的一座研發(fā)中心進(jìn)行合作。

荷蘭ASMLHoldingNV計(jì)畫(huà)在2012年推出EUV微影設(shè)備，日本在設(shè)備和材料的開(kāi)發(fā)上已居于落后。該聯(lián)盟的目標(biāo)，是發(fā)展出電路寬度20奈米以下的晶片制程技術(shù)。

東芝(6502-JP)未來(lái)3-5年需以EUV微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)快閃記憶晶片，但顧慮自行研發(fā)成本太高，遂號(hào)召材料廠及外國(guó)晶片業(yè)者組成聯(lián)盟，并找來(lái)日本經(jīng)產(chǎn)省支援。

瑞薩為了降低成本，已打算將線寬28奈米或以下的所有晶片生產(chǎn)外包，加入聯(lián)盟的主因則是要了解技術(shù)。