臺(tái)積電完成28奈米環(huán)境規(guī)劃 持續(xù)穩(wěn)坐龍頭寶座
[導(dǎo)讀]臺(tái)積電26日宣布，已順利在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)建構(gòu)完成28奈米制程設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，此舉表示臺(tái)積電繼40奈米制程提前1季進(jìn)度量產(chǎn)下，內(nèi)部28奈米制程演進(jìn)速度也同步超前，預(yù)期2011年下半就可加入營(yíng)運(yùn)，臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)的
臺(tái)積電26日宣布，已順利在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)建構(gòu)完成28奈米制程設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，此舉表示臺(tái)積電繼40奈米制程提前1季進(jìn)度量產(chǎn)下，內(nèi)部28奈米制程演進(jìn)速度也同步超前，預(yù)期2011年下半就可加入營(yíng)運(yùn)，臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)的一再領(lǐng)先，甚至領(lǐng)先2個(gè)世代以上的情形，可望協(xié)助臺(tái)積電穩(wěn)坐全球晶圓代工龍頭寶座。
產(chǎn)業(yè)界人士表示，在進(jìn)入12吋晶圓世代下，當(dāng)制程進(jìn)度演進(jìn)到65奈米以下后，多數(shù)EDA、IP及IC設(shè)計(jì)公司已沒(méi)有多余研發(fā)資源，可以去押寶龍頭廠以外的公司，這也造就臺(tái)積電大者恒大效應(yīng)，于2010年過(guò)后持續(xù)快速膨脹，不僅一口氣甩開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，甚至一撇開(kāi)就是2個(gè)世代以上。
臺(tái)積電則表示，內(nèi)部28奈米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒，并已開(kāi)始提供包括設(shè)計(jì)法則檢查(DRC)、布局與電路比較(LVS)及制程設(shè)計(jì)套件(PDK)基礎(chǔ)輔助設(shè)計(jì)，此外在基礎(chǔ)矽智財(cái)(IP)方面，則提供標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)、記憶體編譯器，以及USB、PCI與DDR/LPDDR等標(biāo)準(zhǔn)介面IP。
臺(tái)積電指出，公司將于美國(guó)加州圣地牙哥舉行的年度設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議(DAC)中，發(fā)表包括設(shè)計(jì)參考流程12.0版及類比／混合訊號(hào)參考流程2.0版等多項(xiàng)最新客制化設(shè)計(jì)工具，以強(qiáng)化既有的開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境!。
臺(tái)積電表示，設(shè)計(jì)參考流程12.0版新增許多特色，包括可應(yīng)用于透過(guò)矽基板及矽穿孔技術(shù)制造生產(chǎn)的2.5維與3維積體電路，利用IC堆疊成模組化的方式，提高28奈米以模型為基礎(chǔ)模擬可制造性設(shè)計(jì)的速度。
臺(tái)積電指出，此參考流程版本也將首次呈現(xiàn)臺(tái)積電20奈米穿透式雙重曝影設(shè)計(jì)解決方案，持續(xù)累積在創(chuàng)新開(kāi)放平臺(tái)架構(gòu)下20奈米設(shè)計(jì)能力。至于類比／混合訊號(hào)參考流程2.0版本，臺(tái)積電也將協(xié)助處理復(fù)雜度與日俱增的28奈米制程效能與設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并解決在高階可制造性設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)規(guī)范限制間相容性及可靠性問(wèn)題。
臺(tái)積電這次一口氣宣布28奈米制程相關(guān)EDA工具、=矽智財(cái)及設(shè)計(jì)環(huán)境都已成熟的消息，顯示臺(tái)積電內(nèi)部研發(fā)團(tuán)隊(duì)早為客戶設(shè)想到各種可能情形，并化繁為簡(jiǎn)在一個(gè)開(kāi)發(fā)平臺(tái)上，這樣的功力放諸全球，除了英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)耗費(fèi)相同的研發(fā)資源才能做得到外，已經(jīng)無(wú)人能出其右，更先進(jìn)制程技術(shù)的領(lǐng)先及越多客戶數(shù)的累積，往往就是晶圓代工廠能否在未來(lái)勝出的關(guān)鍵。
在臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀自承公司在28奈米世代，已有89個(gè)客戶試產(chǎn)設(shè)計(jì)案(TapeOut)，是所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手客戶案總合的10倍以上水準(zhǔn)來(lái)看，這將確保到2012年下半以前，臺(tái)積電都將有個(gè)穩(wěn)定的生態(tài)環(huán)境。
產(chǎn)業(yè)界人士表示，在進(jìn)入12吋晶圓世代下，當(dāng)制程進(jìn)度演進(jìn)到65奈米以下后，多數(shù)EDA、IP及IC設(shè)計(jì)公司已沒(méi)有多余研發(fā)資源，可以去押寶龍頭廠以外的公司，這也造就臺(tái)積電大者恒大效應(yīng)，于2010年過(guò)后持續(xù)快速膨脹，不僅一口氣甩開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，甚至一撇開(kāi)就是2個(gè)世代以上。
臺(tái)積電則表示，內(nèi)部28奈米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒，并已開(kāi)始提供包括設(shè)計(jì)法則檢查(DRC)、布局與電路比較(LVS)及制程設(shè)計(jì)套件(PDK)基礎(chǔ)輔助設(shè)計(jì)，此外在基礎(chǔ)矽智財(cái)(IP)方面，則提供標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)、記憶體編譯器，以及USB、PCI與DDR/LPDDR等標(biāo)準(zhǔn)介面IP。
臺(tái)積電指出，公司將于美國(guó)加州圣地牙哥舉行的年度設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議(DAC)中，發(fā)表包括設(shè)計(jì)參考流程12.0版及類比／混合訊號(hào)參考流程2.0版等多項(xiàng)最新客制化設(shè)計(jì)工具，以強(qiáng)化既有的開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境!。
臺(tái)積電表示，設(shè)計(jì)參考流程12.0版新增許多特色，包括可應(yīng)用于透過(guò)矽基板及矽穿孔技術(shù)制造生產(chǎn)的2.5維與3維積體電路，利用IC堆疊成模組化的方式，提高28奈米以模型為基礎(chǔ)模擬可制造性設(shè)計(jì)的速度。
臺(tái)積電指出，此參考流程版本也將首次呈現(xiàn)臺(tái)積電20奈米穿透式雙重曝影設(shè)計(jì)解決方案，持續(xù)累積在創(chuàng)新開(kāi)放平臺(tái)架構(gòu)下20奈米設(shè)計(jì)能力。至于類比／混合訊號(hào)參考流程2.0版本，臺(tái)積電也將協(xié)助處理復(fù)雜度與日俱增的28奈米制程效能與設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并解決在高階可制造性設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)規(guī)范限制間相容性及可靠性問(wèn)題。
臺(tái)積電這次一口氣宣布28奈米制程相關(guān)EDA工具、=矽智財(cái)及設(shè)計(jì)環(huán)境都已成熟的消息，顯示臺(tái)積電內(nèi)部研發(fā)團(tuán)隊(duì)早為客戶設(shè)想到各種可能情形，并化繁為簡(jiǎn)在一個(gè)開(kāi)發(fā)平臺(tái)上，這樣的功力放諸全球，除了英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)耗費(fèi)相同的研發(fā)資源才能做得到外，已經(jīng)無(wú)人能出其右，更先進(jìn)制程技術(shù)的領(lǐng)先及越多客戶數(shù)的累積，往往就是晶圓代工廠能否在未來(lái)勝出的關(guān)鍵。
在臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀自承公司在28奈米世代，已有89個(gè)客戶試產(chǎn)設(shè)計(jì)案(TapeOut)，是所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手客戶案總合的10倍以上水準(zhǔn)來(lái)看，這將確保到2012年下半以前，臺(tái)積電都將有個(gè)穩(wěn)定的生態(tài)環(huán)境。
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