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[導(dǎo)讀]MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼副主任洪春暉今(22)日指出,雖然明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長力道趨緩,但是晶圓代工部份受惠于IDM業(yè)者持續(xù)增加代工釋單比重,短期內(nèi)仍具有相當(dāng)高的成長動(dòng)能。但未來隨著三星電子及全球晶圓(GF)等IDM廠積極搶占晶

MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼副主任洪春暉今(22)日指出,雖然明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長力道趨緩,但是晶圓代工部份受惠于IDM業(yè)者持續(xù)增加代工釋單比重,短期內(nèi)仍具有相當(dāng)高的成長動(dòng)能。但未來隨著三星電子及全球晶圓(GF)等IDM廠積極搶占晶圓代工市場,尤以三星電子布局整合記憶體的高度整合晶片,具制程優(yōu)勢,長期來看,對(duì)于國內(nèi)晶圓代工業(yè)者臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)仍是重要的潛在威脅。

洪春輝指出,除了英特爾之外,其他IDM廠皆減少先進(jìn)制程投資,逐步走向輕晶圓廠模式,而成熟制程產(chǎn)能多不打算重開,反倒外包給晶圓代工廠,生產(chǎn)愈來愈仰賴代工業(yè)者,預(yù)估未來IDM廠自行生產(chǎn)將會(huì)著重于Sensor、3DIC等高度整合型產(chǎn)品。

由于看到IDM廠委外代工將成長的趨勢,各晶圓代工龍頭業(yè)者隨之紛紛擴(kuò)增舊廠,再加上臺(tái)積電新建Fab15廠、全球晶圓(GF)新建紐約廠,擴(kuò)產(chǎn)幅度均不小,以及中芯可望完成12寸廠并進(jìn)行投產(chǎn)等計(jì)畫影響,全球晶圓代工產(chǎn)能將持續(xù)成長至2012年,洪春暉評(píng)估,晶圓代工短期內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能供給過剩問題,但長期供需問題仍值得關(guān)注。

而全球晶圓代工領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者亦紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程,如臺(tái)積電明、后年28及20奈米制程發(fā)展可望有成果,聯(lián)電明年底28奈米制程發(fā)展亦將有所斬獲,全球晶圓亦積極布局28及22奈米制程,三星電子今年底早已經(jīng)與臺(tái)積電幾乎同步切入28奈米制程發(fā)展,將壓縮其他業(yè)者發(fā)展空間。而未來晶圓代工產(chǎn)業(yè)受到全球晶圓及三星電子等競爭者積極搶入威脅,在先進(jìn)制程及高度整合技術(shù)的發(fā)展上,皆可能影響整體現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的版圖。

洪春暉表示,三星電子等IDM者積極搶進(jìn)晶圓代工領(lǐng)域,雖搶占部分具指標(biāo)性客戶(如蘋果iPad晶片即于三星投片),但受限于原有經(jīng)營模式,再加上臺(tái)積電與國際客戶合作穩(wěn)固、掌握度亦高,短期內(nèi)對(duì)國內(nèi)代工業(yè)者不會(huì)有太大影響。

但長期來看,洪春暉提醒,由于三星電子具有記憶體生產(chǎn)優(yōu)勢,亦積極推出整合記憶體與晶片的產(chǎn)品,布局高度整合型晶片市場,在未來手機(jī)對(duì)高度整合型晶片需求持續(xù)增加下,三星電子生產(chǎn)線較臺(tái)積電相對(duì)廣,恐蠶食臺(tái)積電及聯(lián)電部分客戶,長期來看會(huì)是個(gè)重要的潛在威脅。

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