韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢，市場集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中，三星電子占24.5%，現(xiàn)代占7.4%，而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%，現(xiàn)代占12.8%。

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成非常不平衡，與美、日等主要發(fā)達國家的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)存在很大差別。世界半導(dǎo)體市場以非存儲型為主，存儲型和非存儲型半導(dǎo)體的比重為35∶65，美國的非存儲型半導(dǎo)體所占的比重更是達到了93%。而韓國半導(dǎo)體市場以存儲型為主，存儲型和非存儲型半導(dǎo)體的比重為85∶15，存儲型半導(dǎo)體中大部分為DRAM等通用內(nèi)存。韓國國內(nèi)用于手機、電腦、數(shù)碼電視等電子產(chǎn)品的非存儲型半導(dǎo)體的國產(chǎn)化率只有20%，其余80%依靠進口。

政府支持和引導(dǎo)

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展遵循了這樣一種戰(zhàn)略和路徑，即以自主創(chuàng)新和掌握自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)為根本目標(biāo)和定位，從引進技術(shù)和從事硬件的生產(chǎn)加工及服務(wù)開始，對引進技術(shù)進行消化吸收，到研發(fā)一些技術(shù)等級較簡單的芯片，逐步提升自主創(chuàng)新能力，最終實現(xiàn)掌握高端核心技術(shù)這樣一個過程。在其中每一個階段，都能夠清晰地看到韓國政府在其中發(fā)揮的積極推動作用。

大力度稅收優(yōu)惠、資金投入和人才培養(yǎng)

20世紀80年代初，韓國為了促進民間企業(yè)開發(fā)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)于1981年對財稅體制實行了改革，建立了《對技術(shù)開發(fā)先導(dǎo)物品實行特別消費稅暫定稅率制度》，對半導(dǎo)體等重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)免征特別消費稅和對進口設(shè)備實行關(guān)稅減免等優(yōu)惠措施。為改進電子生產(chǎn)技術(shù)推行“反向工程”，政府提供稅收和財政上的優(yōu)惠；從2001年起設(shè)立了半導(dǎo)體關(guān)稅減免工廠指定制度，在半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)和修理企業(yè)進口用于半導(dǎo)體設(shè)備制造的零部件和原材料時實行減免關(guān)稅等稅務(wù)制度的支持；2002年將半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)企業(yè)也包括到同一制度的受惠范圍之內(nèi)。

在1983年至1987年的半導(dǎo)體工業(yè)振興計劃中投入3.46億美元的貸款，激發(fā)了20億美元的私人投資。20世紀80年代中期到90年代初，韓國政府在“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃”中投入大量經(jīng)費；1986年，韓國政府制訂了半導(dǎo)體信息技術(shù)開發(fā)方向的投資計劃，每年向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資近億美元。

1975年建立了韓國高級科學(xué)技術(shù)研究院；1976年成立韓國電子技術(shù)研究所，主要負責(zé)計劃與協(xié)調(diào)半導(dǎo)體研發(fā)，吸收和傳播國外技術(shù)，為韓國企業(yè)提供技術(shù)支持。其重要工作是進行超大規(guī)模集成電路的研究，負責(zé)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家級科研項目的開發(fā)。2001～2006年慶北大學(xué)的半導(dǎo)體工程教育和支援中心設(shè)立項目、半導(dǎo)體工程教育人才培養(yǎng)項目。

以大企業(yè)為主體的管產(chǎn)學(xué)研合作

由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高度技術(shù)密集型和資本密集型的，需要大量投資、高水平科研的產(chǎn)業(yè)，并且世界半導(dǎo)體發(fā)展迅速、日新月異，這樣也只有大型企業(yè)集團才有可能開展這些項目，如韓國最初DRAM生產(chǎn)的涉足者，就是韓國國內(nèi)最大的三個企業(yè)集團——三星、現(xiàn)代和LG。

韓國政府通過積極扶持半導(dǎo)體行業(yè)的大企業(yè)來提升韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平和競爭力。韓國政府通過宏觀調(diào)控政策,引導(dǎo)資金的流向,把95%的資金提供給大企業(yè),充分保證大企業(yè)優(yōu)先發(fā)展,以便更有效地與國外跨國公司抗衡。

1986年3月～1993年3月，韓國政府實施了“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃”，以政府所屬的韓國電子研究所為主，三星、現(xiàn)代、LG等大企業(yè)參加組成半導(dǎo)體研究開發(fā)聯(lián)合體，集中人才、資金，進行從1M到64M的DRAM基礎(chǔ)核心技術(shù)的開發(fā)。企業(yè)在該技術(shù)基礎(chǔ)上繼續(xù)大規(guī)模投資，開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)和工藝技術(shù)。而企業(yè)在使用源泉技術(shù)須按銷售額交技術(shù)使用費，其一半歸政府，一半歸韓國電子研究所，其中參與源泉技術(shù)開發(fā)的企業(yè)可以少交（或不交）技術(shù)使用費，其他企業(yè)則相對需交5～6倍的技術(shù)使用費。而政府在源泉技術(shù)開發(fā)成功以后，并不向工業(yè)化生產(chǎn)投資，也不參與企業(yè)的經(jīng)營活動，而是通過市場機制，讓企業(yè)在國內(nèi)、國際的競爭中自我發(fā)展。