應材:半導體掀整并潮 未來5年技術(shù)轉(zhuǎn)折將更多
[導讀]半導體設備大廠應材(AppliedMaterials)集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸(見附圖),出席應材「創(chuàng)新科技種子營」的十屆營友相聚歡活動,并于會中發(fā)表對半導體產(chǎn)業(yè)的看法。他指出,半導體產(chǎn)業(yè)集中整併(Consolidation)的趨勢
半導體設備大廠應材(AppliedMaterials)集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸(見附圖),出席應材「創(chuàng)新科技種子營」的十屆營友相聚歡活動,并于會中發(fā)表對半導體產(chǎn)業(yè)的看法。他指出,半導體產(chǎn)業(yè)集中整併(Consolidation)的趨勢日趨明顯,不論是從半導體設備、資本支出、或從IC設計產(chǎn)業(yè)等來看,都可以觀察到相同的現(xiàn)象。他并預言,在未來5年之內(nèi),半導體產(chǎn)業(yè)將會出現(xiàn)比過去15年更多值得關(guān)注的技術(shù)轉(zhuǎn)折點。
余定陸分析,半導體產(chǎn)業(yè)在最近10幾年來,由于原本的IDM廠商多轉(zhuǎn)向採取fab-lite或者fabless的規(guī)則,使得投資半導體製造資本支出的廠商家數(shù)大幅減少,包括英飛凌(Infineon)于2005年正式宣告轉(zhuǎn)型為FablessIC設計公司、德儀(TI)于2007年進入採用混合式晶圓廠(hybridfab)的時代、超微(AMD)于2008年轉(zhuǎn)型為Fabless、瑞薩(Renesas)于2010年宣告其fab-lite的規(guī)則等,都是顯例。
而隨著玩家越來越少、製程技術(shù)越趨複雜以致半導體製造資本密集度更高,半導體產(chǎn)業(yè)集中整併的產(chǎn)業(yè)走向,也反映在資本支出的狀況上。余定陸指出,2000年全球CAPEX投入前五大的半導體巨擘,其CAPEX金額總和僅佔所有半導體廠商的33%;不過到了2012年,這個比例則飆升到73%。
而值得注意的是,半導體製造的資本密集度在2x奈米世代之后,更是以驚人的倍數(shù)增加,以記憶體產(chǎn)業(yè)為例,目前的2x奈米,相較于6x奈米,廠商在前者投入的CAPEX金額,高達后者的3.4倍;而就邏輯IC產(chǎn)業(yè)而言,2x奈米的CAPEX金額更是6x奈米的4倍之多。也因此,隨著製程越走越先進,能夠負荷的起的玩家也越來越稀少。
余定陸因此認為,半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)能夠負擔這樣巨額成本的廠商家數(shù)將越來越少,例如目前有計劃量產(chǎn)22、20奈米的廠商家數(shù)僅馀5家,待進展到16、14奈米時,家數(shù)可能會再縮減。
另外,余定陸指出,在1995年,全球前五大半導體設備商設備銷售金額的總和,僅佔整體市場的32%;不過到了2012年,這個比例大幅拉高為63%。至于在IC設計產(chǎn)業(yè)方面,全球第一大的FablessIC設計業(yè)者,其產(chǎn)品銷售金額于2000年僅佔整體市場規(guī)模的10%,惟這個比例于2013年將突破20%,在在都顯示半導體大者恆大的整併現(xiàn)象,在產(chǎn)業(yè)的各個面向都在發(fā)生。
同時,他表示,隨著資本密集度與技術(shù)難度的增加,不確定性也隨之升高,例如微影技術(shù)及3D硅穿孔技術(shù)(Litho與3DTSV)的發(fā)展進度,自2007~2008年迄今,進展仍相當有限,下一個世代的技術(shù)方向?qū)⒎浅ky以預測。也因此他大膽預言,認為未來5年半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生的技術(shù)轉(zhuǎn)折,將比過去15年更多。
余定陸分析,半導體產(chǎn)業(yè)在最近10幾年來,由于原本的IDM廠商多轉(zhuǎn)向採取fab-lite或者fabless的規(guī)則,使得投資半導體製造資本支出的廠商家數(shù)大幅減少,包括英飛凌(Infineon)于2005年正式宣告轉(zhuǎn)型為FablessIC設計公司、德儀(TI)于2007年進入採用混合式晶圓廠(hybridfab)的時代、超微(AMD)于2008年轉(zhuǎn)型為Fabless、瑞薩(Renesas)于2010年宣告其fab-lite的規(guī)則等,都是顯例。
而隨著玩家越來越少、製程技術(shù)越趨複雜以致半導體製造資本密集度更高,半導體產(chǎn)業(yè)集中整併的產(chǎn)業(yè)走向,也反映在資本支出的狀況上。余定陸指出,2000年全球CAPEX投入前五大的半導體巨擘,其CAPEX金額總和僅佔所有半導體廠商的33%;不過到了2012年,這個比例則飆升到73%。
而值得注意的是,半導體製造的資本密集度在2x奈米世代之后,更是以驚人的倍數(shù)增加,以記憶體產(chǎn)業(yè)為例,目前的2x奈米,相較于6x奈米,廠商在前者投入的CAPEX金額,高達后者的3.4倍;而就邏輯IC產(chǎn)業(yè)而言,2x奈米的CAPEX金額更是6x奈米的4倍之多。也因此,隨著製程越走越先進,能夠負荷的起的玩家也越來越稀少。
余定陸因此認為,半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)能夠負擔這樣巨額成本的廠商家數(shù)將越來越少,例如目前有計劃量產(chǎn)22、20奈米的廠商家數(shù)僅馀5家,待進展到16、14奈米時,家數(shù)可能會再縮減。
另外,余定陸指出,在1995年,全球前五大半導體設備商設備銷售金額的總和,僅佔整體市場的32%;不過到了2012年,這個比例大幅拉高為63%。至于在IC設計產(chǎn)業(yè)方面,全球第一大的FablessIC設計業(yè)者,其產(chǎn)品銷售金額于2000年僅佔整體市場規(guī)模的10%,惟這個比例于2013年將突破20%,在在都顯示半導體大者恆大的整併現(xiàn)象,在產(chǎn)業(yè)的各個面向都在發(fā)生。
同時,他表示,隨著資本密集度與技術(shù)難度的增加,不確定性也隨之升高,例如微影技術(shù)及3D硅穿孔技術(shù)(Litho與3DTSV)的發(fā)展進度,自2007~2008年迄今,進展仍相當有限,下一個世代的技術(shù)方向?qū)⒎浅ky以預測。也因此他大膽預言,認為未來5年半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生的技術(shù)轉(zhuǎn)折,將比過去15年更多。





