[導讀]2013年1份月已過去大半，筆者想在此介紹一個2013年將受關注的領域。雖然這樣的領域很多，但筆者此次要說的是SiC及GaN等新一代功率半導體的動向。該領域之所以會受到關注，是因為在2013年，新一代功率半導體的使用范圍
2013年1份月已過去大半，筆者想在此介紹一個2013年將受關注的領域。雖然這樣的領域很多，但筆者此次要說的是SiC及GaN等新一代功率半導體的動向。該領域之所以會受到關注，是因為在2013年，新一代功率半導體的使用范圍有望繼2012年之后繼續(xù)擴大。
2012年，SiC二極管在鐵路領域及工業(yè)設備領域的采用趨于活躍。伴隨這一趨勢，SiC功率元件的開發(fā)也在加快。配備SiC二極管以及SiCMOSFET的“全SiC”功率模塊產(chǎn)品的亮相，成為2012年一大熱點新聞。
而GaN功率元件也一樣，在2012年取得了巨大進展。耐壓600V的GaN功率晶體管于2012年亮相，而以前產(chǎn)品的最大耐壓只有200V。
因此，簡單地說，SiC及GaN功率元件與數(shù)年前相比，有種一下子來到身邊的感覺。這些元件與使用Si的功率元件相比，能夠高速開關，因此可大幅減小開關損失。另外還能實現(xiàn)以更高頻率開關的“高頻工作”。這樣一來，電感器等周邊部件便可輕松實現(xiàn)小型化。而且這些新型功率元件還可“高溫工作”，可使冷卻器的體積更小。
而實際上，要想利用高速開關、高頻工作及高溫工作這些優(yōu)點，還必須要解決諸多課題。比如，高速開關要求防止浪涌、瞬變及電磁噪聲的發(fā)生；高頻工作存在電抗損失增大的問題；而高溫工作則需要使用低價格的周邊部件，同時必須要在超過200℃的溫度下實現(xiàn)穩(wěn)定工作。要解決這些課題，就必須積累新技術。
2012年，SiC二極管在鐵路領域及工業(yè)設備領域的采用趨于活躍。伴隨這一趨勢，SiC功率元件的開發(fā)也在加快。配備SiC二極管以及SiCMOSFET的“全SiC”功率模塊產(chǎn)品的亮相，成為2012年一大熱點新聞。
而GaN功率元件也一樣，在2012年取得了巨大進展。耐壓600V的GaN功率晶體管于2012年亮相，而以前產(chǎn)品的最大耐壓只有200V。
因此，簡單地說，SiC及GaN功率元件與數(shù)年前相比，有種一下子來到身邊的感覺。這些元件與使用Si的功率元件相比，能夠高速開關，因此可大幅減小開關損失。另外還能實現(xiàn)以更高頻率開關的“高頻工作”。這樣一來，電感器等周邊部件便可輕松實現(xiàn)小型化。而且這些新型功率元件還可“高溫工作”，可使冷卻器的體積更小。
而實際上，要想利用高速開關、高頻工作及高溫工作這些優(yōu)點，還必須要解決諸多課題。比如，高速開關要求防止浪涌、瞬變及電磁噪聲的發(fā)生；高頻工作存在電抗損失增大的問題；而高溫工作則需要使用低價格的周邊部件，同時必須要在超過200℃的溫度下實現(xiàn)穩(wěn)定工作。要解決這些課題，就必須積累新技術。
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