[導讀]英特爾技術長瑞特納（JustinRattner）昨（4）日指出，英特爾14納米制程將于明年量產，18寸晶圓大約4、5年后開始生產。瑞特納釋出的藍圖，代表英特爾的18寸晶圓廠生產時間點落在2016年至2017年，較臺積電的2017年底略
英特爾技術長瑞特納（JustinRattner）昨（4）日指出，英特爾14納米制程將于明年量產，18寸晶圓大約4、5年后開始生產。瑞特納釋出的藍圖，代表英特爾的18寸晶圓廠生產時間點落在2016年至2017年，較臺積電的2017年底略快。
英特爾早于今年9月的開發(fā)者論壇（IDF）揭露未來10年技術藍圖，當時預估明年上市的Haswell處理器仍將以22納米制程生產，處于研發(fā)階段14納米制程將于明年底量產，并投入Haswell下一世代的Broadwell處理器生產。
瑞特納昨日訪臺受訪時重申，英特爾14納米制程仍依原訂計畫，在明年底量產；至于18寸晶圓、極紫外光（EUV）微影等先進技術，預計在4到5年后正式投產。
英特爾、三星及臺積電等3大全球半導體大廠持續(xù)走向18寸晶圓，以英特爾釋出的時程來看，18寸晶圓廠最快在2016年到2017年間投產。
相較之下，臺積電的18寸晶圓將在新竹12廠（Fab12）第8期（后龍）正式導入研發(fā)與試產，最快2017年底在中科15廠第5期（P5）導入18寸晶圓廠的正式量產，就現(xiàn)階段的計畫時程而言，英特爾仍是稍微領先臺積電。
英特爾早于今年9月的開發(fā)者論壇（IDF）揭露未來10年技術藍圖，當時預估明年上市的Haswell處理器仍將以22納米制程生產，處于研發(fā)階段14納米制程將于明年底量產，并投入Haswell下一世代的Broadwell處理器生產。
瑞特納昨日訪臺受訪時重申，英特爾14納米制程仍依原訂計畫，在明年底量產；至于18寸晶圓、極紫外光（EUV）微影等先進技術，預計在4到5年后正式投產。
英特爾、三星及臺積電等3大全球半導體大廠持續(xù)走向18寸晶圓，以英特爾釋出的時程來看，18寸晶圓廠最快在2016年到2017年間投產。
相較之下，臺積電的18寸晶圓將在新竹12廠（Fab12）第8期（后龍）正式導入研發(fā)與試產，最快2017年底在中科15廠第5期（P5）導入18寸晶圓廠的正式量產，就現(xiàn)階段的計畫時程而言，英特爾仍是稍微領先臺積電。
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