英特爾14nm制程延遲
[導讀]對英特爾(Intel)愛爾蘭員工來說，現在有一個好消息，就是他們可以早點回家。但壞消息是，他們能提早回家，是由于據傳該廠的進度延宕?！稅蹱柼m時報》(IrishTimes)近日報導，在決定延遲推出其位在Leixlip的Fab24廠的P
ce="Times New Roman">對英特爾(Intel)愛爾蘭員工來說，現在有一個好消息，就是他們可以早點回家。但壞消息是，他們能提早回家，是由于據傳該廠的進度延宕。
《愛爾蘭時報》(IrishTimes)近日報導，在決定延遲推出其位在Leixlip的Fab24廠的P127214nm制程后，英特爾日前決定讓派駐在美國進行生產培訓的600名愛爾蘭員工先調回家。
這些員工已針對14nm制程接受了培訓。英特爾在今年稍早證實，其Fab24將是繼美國奧勒岡州的D1X廠，以及美國亞利桑那州Fab42廠后，首個加入14nm生產的海外生產據點。據傳英特爾花費了超過10億美元來翻新Fab24廠，以確保未來的產能。
據《泰晤士報》(TheTimes)報導，愛爾蘭14nm制程量產時間將延遲半年，到2013年底，主因在于需求放緩，而非技術問題。然而，報導也指出，由于此一延遲，英特爾可能會重新考慮在愛爾蘭量產14nm制程的策略。
這對歐洲無異是雪上加霜，因為英特爾是當地最大的私人公司，員工數達4,500多人。
歐盟對這家愿意投資愛爾蘭的領先晶片制造商一直抱持著鼓勵的態(tài)度。歐盟認為，奈米電子學是實現未來技術的關鍵，他們不愿意看到這些技術離開歐洲大陸，即使擁有這些技術公司都來自彼岸的美洲大陸，如英特爾和Globalfoundries。
談到Globalfoundries──英特爾的競爭對手之一時，有趣的一點在于，英特爾的14nm技術將是其第二個以FinFET技術為基礎的制程節(jié)點，而Globalfoundries的的14XM制程本質上則是用于替代平面電晶體，自20nmFinFET制程改良而來。
這意味著直到2014年，Globalfoundries的14XM制程將會成為首個不運用微縮晶片面積作為節(jié)省成本方法的過渡型制程節(jié)點。對手機晶片公司而言，能降低晶片面積進而降低功耗，是他們經常用以推動技術進展的方式。
英特爾的1272則預計2013年底推出，它應該會比之前的P127022nm制程更加微縮及降低功耗。但要在原子級實現微型化并不容易。盡管英特爾已經表示，它并不需要超紫外光微影，而是可使用193nm光學微影技術，但這對成本和良率都可能帶來影響。
若英特爾能如期在2013年推出P1272──無論是兩座或三座晶圓廠能量產，能確保這家晶片制造商的聲譽。
另一方面，若事實證明P127214nm有技術問題需要解決，如以絕緣層上覆矽作為起始晶圓，那么，延遲到2014年將對英特爾作為全球領先晶片公司的聲譽造成嚴重打擊。
編譯：JoyTeng
(參考原文：LondonCalling:Intel's14-nmprocessdelay，byPeterClarke)
《愛爾蘭時報》(IrishTimes)近日報導，在決定延遲推出其位在Leixlip的Fab24廠的P127214nm制程后，英特爾日前決定讓派駐在美國進行生產培訓的600名愛爾蘭員工先調回家。
這些員工已針對14nm制程接受了培訓。英特爾在今年稍早證實，其Fab24將是繼美國奧勒岡州的D1X廠，以及美國亞利桑那州Fab42廠后，首個加入14nm生產的海外生產據點。據傳英特爾花費了超過10億美元來翻新Fab24廠，以確保未來的產能。
據《泰晤士報》(TheTimes)報導，愛爾蘭14nm制程量產時間將延遲半年，到2013年底，主因在于需求放緩，而非技術問題。然而，報導也指出，由于此一延遲，英特爾可能會重新考慮在愛爾蘭量產14nm制程的策略。
這對歐洲無異是雪上加霜，因為英特爾是當地最大的私人公司，員工數達4,500多人。
歐盟對這家愿意投資愛爾蘭的領先晶片制造商一直抱持著鼓勵的態(tài)度。歐盟認為，奈米電子學是實現未來技術的關鍵，他們不愿意看到這些技術離開歐洲大陸，即使擁有這些技術公司都來自彼岸的美洲大陸，如英特爾和Globalfoundries。
談到Globalfoundries──英特爾的競爭對手之一時，有趣的一點在于，英特爾的14nm技術將是其第二個以FinFET技術為基礎的制程節(jié)點，而Globalfoundries的的14XM制程本質上則是用于替代平面電晶體，自20nmFinFET制程改良而來。
這意味著直到2014年，Globalfoundries的14XM制程將會成為首個不運用微縮晶片面積作為節(jié)省成本方法的過渡型制程節(jié)點。對手機晶片公司而言，能降低晶片面積進而降低功耗，是他們經常用以推動技術進展的方式。
英特爾的1272則預計2013年底推出，它應該會比之前的P127022nm制程更加微縮及降低功耗。但要在原子級實現微型化并不容易。盡管英特爾已經表示，它并不需要超紫外光微影，而是可使用193nm光學微影技術，但這對成本和良率都可能帶來影響。
若英特爾能如期在2013年推出P1272──無論是兩座或三座晶圓廠能量產，能確保這家晶片制造商的聲譽。
另一方面，若事實證明P127214nm有技術問題需要解決，如以絕緣層上覆矽作為起始晶圓，那么，延遲到2014年將對英特爾作為全球領先晶片公司的聲譽造成嚴重打擊。
編譯：JoyTeng
(參考原文：LondonCalling:Intel's14-nmprocessdelay，byPeterClarke)
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