飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協議

時間：2012-02-09 11:27:24

關鍵字：功率MOSFET 英飛凌飛兆封裝

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[導讀]飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)和英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。飛兆半導體PowerTrench非對稱結構功

飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)和英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。

飛兆半導體PowerTrench非對稱結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。

這一兼容協議是兩家公司在2010年達成的協議的擴展，旨在為客戶保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業(yè)的非對稱結構功率級雙MOSFET專業(yè)技術，以處理30A以上應用并增加功率密度。

飛兆半導體消費、通信和工業(yè)低壓產品副總裁兼總經理JoeMontalbo表示：“我們非常高興與英飛凌科技公司合作，進一步鞏固PowerTrench技術。這一合作配合使用標準化的封裝引腳，將幫助提升該產品線的價值并提高其對客戶的吸引力。”

英飛凌科技低壓功率轉換產品高級主管RichardKuncic稱：“飛兆半導體和英飛凌實現了封裝引腳的標準化，為計算、電信及服務器市場的客戶提供了滿足高效設計需求的穩(wěn)定供應鏈。通過封裝統(tǒng)一，客戶可以采用多來源的行業(yè)標準封裝來提供性能領先的產品?！?BR>