根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011年第三季營(yíng)收總計(jì)為約65.66億美元，由于整體經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲弱、供過(guò)于求情況加劇，導(dǎo)致第三季DDR32Gb合約價(jià)均價(jià)下跌35%，第三季總營(yíng)收與上季相較大幅衰退19.4%，除了三星半導(dǎo)體(Samsung)外，其余記憶體廠商皆繳出赤字財(cái)報(bào)，DRAM產(chǎn)業(yè)正式邁入另一波市場(chǎng)黑暗期。

從供給面來(lái)看，部份DRAM廠由于第三季顆粒價(jià)格跌破現(xiàn)金成本而陸續(xù)宣布減產(chǎn)，故第三季整體顆粒產(chǎn)出量較上季僅有約5%成長(zhǎng)，不若往年于第三季10%以上的成長(zhǎng)率。但一線DRAM廠仍積極轉(zhuǎn)進(jìn)30nm40nm制程，如兩家韓大廠30nm的比重已經(jīng)達(dá)到產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)出的21%，爾必達(dá)(Elpida)亦在子公司瑞晶的加持下，預(yù)計(jì)在明年上半年福增加30nm產(chǎn)出。

然而其余臺(tái)系廠商制程仍以40nm50nm制程為主軸，與韓系DRAM廠至少相差1.5個(gè)世代以上，若衡量目前低迷的市況，短期之內(nèi)DRAM廠轉(zhuǎn)虧為盈的機(jī)率相當(dāng)渺茫。

在需求面，由于總體經(jīng)濟(jì)疲弱造成歐美區(qū)域消費(fèi)信心不足，往年第三季的10%需求位元成長(zhǎng)已不復(fù)見，本季較上季相比僅有7.6%的需求成長(zhǎng)，且PC主要成長(zhǎng)的動(dòng)能仍來(lái)自于中國(guó)及其他開發(fā)中國(guó)家。再者，第三季整體PC單機(jī)記憶體搭載量未見顯著提升，目前NB(不含Netbook)于第三季的DRAM單機(jī)搭載量?jī)H達(dá)到3.5GB，季成長(zhǎng)1.1%小幅提升。

所幸受惠于9月份PCOEM為了旺季所做的備貨效應(yīng)，DRAM庫(kù)存水位已有大幅度的消化，就連現(xiàn)貨市場(chǎng)于9月上旬也短暫出現(xiàn)跌勢(shì)的終止，對(duì)于DRAM顆粒庫(kù)存的消化有明顯挹注，亦使10月份的合約價(jià)除4GB出現(xiàn)小幅下跌2.33%外，其余皆維持持平報(bào)價(jià)，但泰國(guó)洪災(zāi)所導(dǎo)致的硬碟機(jī)(HDD)缺貨是否影響PC最終出貨，將牽動(dòng)第四季后續(xù)DRAM價(jià)格走勢(shì)。

從全球DRAM廠自有品牌記憶體營(yíng)收排名分析，韓系廠仍盤踞前兩名，以三星而言，第三季DRAM營(yíng)收較上季衰退12.8%，衰退幅度小于同業(yè)下，市占率反增3.4%，達(dá)到44.5%，第三季DRAM平均銷售單價(jià)(AS{)較上季相較下降了約15%，受惠于35nm產(chǎn)出比重超過(guò)30%及積極轉(zhuǎn)進(jìn)伺服器記憶體與行動(dòng)式記憶體，第三季位元成長(zhǎng)率仍有7%的成長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)利益達(dá)20%以上，算是繳出亮眼的獲利成績(jī)。

海力士半導(dǎo)體(Hynix)方面，DRAM營(yíng)收較上季衰退23.9%，整體市占則微幅下滑至21.6%，由于第三季DRAM價(jià)格跌幅過(guò)劇，讓連續(xù)九季獲利的海力士首度繳出赤字財(cái)報(bào)，DRAM的營(yíng)業(yè)利益呈現(xiàn)負(fù)25%。展望第四季，由于38nm制程良率穩(wěn)定，目前正積極提高投片比例，于第四季末預(yù)計(jì)可占總產(chǎn)出的40%左右，加上成本持續(xù)降低，海力士半導(dǎo)體的營(yíng)業(yè)利益預(yù)計(jì)將獲得改善。

日商爾必達(dá)由于在現(xiàn)貨市場(chǎng)的出貨比例較高，受到現(xiàn)貨價(jià)格影響最為顯著，加上第三季DDR32Gb現(xiàn)貨顆粒價(jià)跌幅達(dá)37%，爾必達(dá)自8月份起就已大幅減少力晶的采購(gòu)量，PCDRAM產(chǎn)出僅仰賴子公司瑞晶生產(chǎn)，整體品牌顆粒產(chǎn)出量較上季減少4%，總計(jì)第三季營(yíng)收僅達(dá)8.25億美元，較上季衰退29.7%，第三季市占率約在12.6%。

美光(Micron)方面，法說(shuō)公布第三季位元成長(zhǎng)為22%，但由于記憶體價(jià)格于該季跌幅達(dá)超過(guò)28%，導(dǎo)致營(yíng)收較上季衰退11.9%，市占在11.8%，財(cái)報(bào)亦從獲利轉(zhuǎn)為虧損。在制程轉(zhuǎn)進(jìn)方面，第三季末42nm制程占產(chǎn)出比來(lái)到50%，年底可望達(dá)到70%。然而，由于42nm制程顆粒仍屬虧損的成本結(jié)構(gòu)，美光若冀望由虧轉(zhuǎn)盈，必須致力于30nm的轉(zhuǎn)進(jìn)，否則與韓系廠約一個(gè)世代以上的差距將會(huì)嚴(yán)重影響后續(xù)獲利表現(xiàn)。

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臺(tái)系DRAM廠方面，南科(Nanya)由于制程技術(shù)落后大廠一個(gè)世代以上，且產(chǎn)出比重多集中在PC-DRAM，受到第三季DRAM價(jià)格大幅下跌影響，營(yíng)收僅2.43億美元，季衰退達(dá)36.9%，市占率由第二季的4.7%降至3.7%。若DRAM價(jià)格持續(xù)下探，營(yíng)收進(jìn)一步衰減的可能性仍高；在37nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)上，目前于廠內(nèi)小量試產(chǎn)當(dāng)中，預(yù)計(jì)明年上半年量產(chǎn)。

華邦(Winbond)方面，受惠于完全退出標(biāo)準(zhǔn)型記憶體市場(chǎng)、僅專注于毛利高的利基型記憶體產(chǎn)出，受到DRAM跌價(jià)的影響較小，唯第三季仍因市況不佳，所以營(yíng)收與上季相較有12.2%衰退，市占2.2%，行動(dòng)式記憶體占營(yíng)收大幅衰退為其主因，由上季占總營(yíng)收的25%到第三季的16%。茂德(ProMOS)仍因?yàn)樨?cái)務(wù)問題而導(dǎo)致購(gòu)買原料的現(xiàn)金不足，投片量維持每月約10K的低檔，營(yíng)收持續(xù)下滑，市占已經(jīng)正式跌破1%。

以各區(qū)域市占率的版圖來(lái)分析，韓系廠商主要受惠于三星的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，合計(jì)市占率高達(dá)67.9%，持續(xù)增加趨勢(shì)不變；美系DRAM廠的營(yíng)收市占小幅成長(zhǎng)到12.1%，其余日系與臺(tái)系廠商的營(yíng)收皆呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)，各為12.9%以及7.1%。某部分臺(tái)系廠商正陸續(xù)退出DRAM產(chǎn)能，所以臺(tái)系廠的市占衰退尤其明顯。整體而言，韓國(guó)廠商占整體營(yíng)收市占的比例持續(xù)擴(kuò)大，大者恒大的態(tài)勢(shì)確立。

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