三星電子宣布投資104億美元的最新閃存生產(chǎn)線開(kāi)始量產(chǎn)
[導(dǎo)讀]全球最大內(nèi)存芯片廠商三星電子日前宣布，最新1條閃存芯片（flashmemorychip）產(chǎn)線開(kāi)始量產(chǎn)，將提升平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)所需芯片產(chǎn)能。此外，采用20納米制程技術(shù)的先進(jìn)DRAM芯片產(chǎn)線也已啟動(dòng)生產(chǎn)。三星斥資12兆韓元
全球最大內(nèi)存芯片廠商三星電子日前宣布，最新1條閃存芯片（flashmemorychip）產(chǎn)線開(kāi)始量產(chǎn)，將提升平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)所需芯片產(chǎn)能。此外，采用20納米制程技術(shù)的先進(jìn)DRAM芯片產(chǎn)線也已啟動(dòng)生產(chǎn)。
三星斥資12兆韓元（約104億美元），自去年5月開(kāi)始建造新廠。董事長(zhǎng)李健熙在華城新廠開(kāi)幕儀式上現(xiàn)身，他表示全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷劇烈的循環(huán)波動(dòng)，“我們必須進(jìn)一步提升技術(shù)能力，以因應(yīng)半導(dǎo)體業(yè)一場(chǎng)更激烈的風(fēng)暴，維持領(lǐng)導(dǎo)地位。”
三星指出，新產(chǎn)線的加入將大幅提升產(chǎn)能，同時(shí)亦可減少能源消耗。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli數(shù)據(jù)顯示，今年第2季三星在全球DRAM市場(chǎng)握有41.6％市占，同期在NAND型閃存市場(chǎng)，三星市占也同樣為41.6％。
三星表示，將提高NAND型閃存芯片，以因應(yīng)不斷增長(zhǎng)的需求，同時(shí)也可望于明年導(dǎo)入10納米制造技術(shù)。南Kiwoom證券分析師李在允（音譯）說(shuō)：“三星最新技術(shù)進(jìn)展，意謂著與臺(tái)灣對(duì)手之間的技術(shù)差距更大，可能甚至?xí)?dǎo)致對(duì)手在明年初退出市場(chǎng)?！?BR>
三星斥資12兆韓元（約104億美元），自去年5月開(kāi)始建造新廠。董事長(zhǎng)李健熙在華城新廠開(kāi)幕儀式上現(xiàn)身，他表示全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷劇烈的循環(huán)波動(dòng)，“我們必須進(jìn)一步提升技術(shù)能力，以因應(yīng)半導(dǎo)體業(yè)一場(chǎng)更激烈的風(fēng)暴，維持領(lǐng)導(dǎo)地位。”
三星指出，新產(chǎn)線的加入將大幅提升產(chǎn)能，同時(shí)亦可減少能源消耗。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli數(shù)據(jù)顯示，今年第2季三星在全球DRAM市場(chǎng)握有41.6％市占，同期在NAND型閃存市場(chǎng)，三星市占也同樣為41.6％。
三星表示，將提高NAND型閃存芯片，以因應(yīng)不斷增長(zhǎng)的需求，同時(shí)也可望于明年導(dǎo)入10納米制造技術(shù)。南Kiwoom證券分析師李在允（音譯）說(shuō)：“三星最新技術(shù)進(jìn)展，意謂著與臺(tái)灣對(duì)手之間的技術(shù)差距更大，可能甚至?xí)?dǎo)致對(duì)手在明年初退出市場(chǎng)?！?BR>
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