IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

時(shí)間：2011-07-19 10:52:50

關(guān)鍵字：晶圓 EUV ASML ADT

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[導(dǎo)讀]IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREMEtechnologiesGmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）

IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREMEtechnologiesGmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）方式EUV光源。

IMEC于2011年3月導(dǎo)入了曝光裝置單機(jī)和EUV光源，設(shè)置于研究設(shè)施內(nèi)并進(jìn)行了調(diào)整和測試?，F(xiàn)在已與東電電子（TEL）的涂布顯影裝置“LithiusPro”（用于EUV工序）連接。IMEC表示，“吞吐量為ASML公司曝光工藝評測用（AlphaDemoTool：ADT）EUV曝光裝置的20倍，計(jì)劃在2012年初期實(shí)現(xiàn)100W的光源輸出功率和60張/小時(shí)的吞吐量”。重疊精度方面，根據(jù)此次的成果確認(rèn)了具有達(dá)到目標(biāo)的4nm以下的潛在能力。分辨率在使用偶極照明時(shí)可達(dá)到20nm以下，對于IMEC的目標(biāo)——2013年確立分辨率達(dá)到16nm的量產(chǎn)技術(shù)來說，此次成果具有里程碑的意義。