[導讀]應用材料公司本周三推出了新款VantageVulcanRTP快速退火設備，這款RTP機型采用了晶圓背面加熱技術，可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內部各部分的溫度均一性。應用半導體公司硅系統(tǒng)集團前端制程用設備部門的總
應用材料公司本周三推出了新款VantageVulcanRTP快速退火設備，這款RTP機型采用了晶圓背面加熱技術，可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內部各部分的溫度均一性。
應用半導體公司硅系統(tǒng)集團前端制程用設備部門的總經理SundarRamamurthy表示，芯片的核心尺寸近年來不斷增長，這樣便導致在退火處理時，核心內部晶體管密度較大的區(qū)域與較小的區(qū)域的退火溫度均一性控制的難度加大。另外一方面，核心內部集成的晶體管尺寸卻在不斷縮小，而制造晶體管過程中采取的RTP退火處理次數則有所增加，這就需要對RTP退火的過程進行更嚴格的控制。在這樣的背景下，應用材料公司推出了業(yè)內首款采用背面加熱設計的RTP設備。
在這款RTP設備上，蜂巢式設計的燈組被分為18個區(qū)域，其可控的退火處理溫度范圍也比舊款產品有較大的增加，達到了75-1300°C。Ramamurthy介紹說：“為了較大地降低觸點結構的電阻，觸點材料一般需要較低的RTP退火處理溫度，而這套設備的RTP退火溫度則可以控制在低于250°C的水平，這對我們的客戶而言無疑是一個好消息?！?BR>
另外，采用背部加熱設計后，新機型的溫度波動范圍則從以往的9°C降低到了3°C.即使在RTP退火處理的升溫速度正處于每秒200°C的較高水平時，晶圓上每塊芯片內部的溫差也可以控制在3°C范圍之內。
相比直接輻射式設計的RTP退火設備，背部加熱設計可以減小加工后的晶圓表面進行RTP處理時的熱點數量，這樣便減小了晶圓上各個晶體管的性能波動幅度，而晶體管的性能波動幅度過大則可導致芯片的性能下降。
VantageVulcan機型采用的閉環(huán)控制系統(tǒng)在從室溫加溫到1300°C的過程中，可以動態(tài)地控制晶圓表面的溫度。因此即使是在處理具有反射性表面的晶圓時，這種機型也可以從容應對，而不需要芯片制造商修改其它制造工藝或制造器件用的材料等。
SundarRamamurthy還透露，應用材料公司一直在與部分客戶合作完善這款RTP設備，而且目前公司已經收到了來自多個客戶的訂單，這些客戶正計劃提升其28nm產品的產能（聽起來好像臺積電，GLOBALFOUNDRIES非常符合這個特征）。另外他還預計，這款RTP設備的市場規(guī)模大概在5億美元左右。
應用半導體公司硅系統(tǒng)集團前端制程用設備部門的總經理SundarRamamurthy表示，芯片的核心尺寸近年來不斷增長，這樣便導致在退火處理時，核心內部晶體管密度較大的區(qū)域與較小的區(qū)域的退火溫度均一性控制的難度加大。另外一方面，核心內部集成的晶體管尺寸卻在不斷縮小，而制造晶體管過程中采取的RTP退火處理次數則有所增加，這就需要對RTP退火的過程進行更嚴格的控制。在這樣的背景下，應用材料公司推出了業(yè)內首款采用背面加熱設計的RTP設備。
在這款RTP設備上，蜂巢式設計的燈組被分為18個區(qū)域，其可控的退火處理溫度范圍也比舊款產品有較大的增加，達到了75-1300°C。Ramamurthy介紹說：“為了較大地降低觸點結構的電阻，觸點材料一般需要較低的RTP退火處理溫度，而這套設備的RTP退火溫度則可以控制在低于250°C的水平，這對我們的客戶而言無疑是一個好消息?！?BR>
另外，采用背部加熱設計后，新機型的溫度波動范圍則從以往的9°C降低到了3°C.即使在RTP退火處理的升溫速度正處于每秒200°C的較高水平時，晶圓上每塊芯片內部的溫差也可以控制在3°C范圍之內。
相比直接輻射式設計的RTP退火設備，背部加熱設計可以減小加工后的晶圓表面進行RTP處理時的熱點數量，這樣便減小了晶圓上各個晶體管的性能波動幅度，而晶體管的性能波動幅度過大則可導致芯片的性能下降。
VantageVulcan機型采用的閉環(huán)控制系統(tǒng)在從室溫加溫到1300°C的過程中，可以動態(tài)地控制晶圓表面的溫度。因此即使是在處理具有反射性表面的晶圓時，這種機型也可以從容應對，而不需要芯片制造商修改其它制造工藝或制造器件用的材料等。
SundarRamamurthy還透露，應用材料公司一直在與部分客戶合作完善這款RTP設備，而且目前公司已經收到了來自多個客戶的訂單，這些客戶正計劃提升其28nm產品的產能（聽起來好像臺積電，GLOBALFOUNDRIES非常符合這個特征）。另外他還預計，這款RTP設備的市場規(guī)模大概在5億美元左右。
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