三星晶圓代工28納米低功率制程通過(guò)認(rèn)證

時(shí)間：2011-06-08 12:14:34

關(guān)鍵字：三星晶圓代工低功率金屬

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[導(dǎo)讀]韓國(guó)半導(dǎo)體大廠三星電子(SamsungElectronics)于美國(guó)時(shí)間6日發(fā)出新聞稿表示，該公司旗下晶圓代工部門(mén)之28納米低功率(low-power；LP)、高介電／金屬閘極(high-kmetalgate)制程已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證，目前已準(zhǔn)備好可以導(dǎo)入正式投

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠三星電子(SamsungElectronics)于美國(guó)時(shí)間6日發(fā)出新聞稿表示，該公司旗下晶圓代工部門(mén)之28納米低功率(low-power；LP)、高介電／金屬閘極(high-kmetalgate)制程已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證，目前已準(zhǔn)備好可以導(dǎo)入正式投產(chǎn)。

此外，三星電子也提供28納米LPH高介電／金屬閘極制程科技服務(wù)。據(jù)悉，28納米LPH制程是特別開(kāi)發(fā)用來(lái)打造運(yùn)算速度超過(guò)2GHz的行動(dòng)裝置應(yīng)用。

三星表示，28納米LPH制程科技可望降低6成以上的耗電量，或者是在與45納米LP系統(tǒng)單芯片制程設(shè)計(jì)比較時(shí)，可望提高55%以上的運(yùn)算效能。