爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM 第三季產(chǎn)能將達(dá)到近8萬(wàn)枚/月
[導(dǎo)讀]日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器（ElpidaMemory）宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子（RexchipElectronics）的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比
日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器（ElpidaMemory）宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子（RexchipElectronics）的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴(kuò)大至20％、2011年7～9月擴(kuò)大至30％。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7～9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50％、2011年10～12月迅速提高至100％。
爾必達(dá)從2010年9月開(kāi)始開(kāi)發(fā)30nmDRAM，2010年底開(kāi)始向處理器廠商等大型客戶樣品供貨2Gbit產(chǎn)品。在市場(chǎng)行情惡化導(dǎo)致DRAM被迫整體減產(chǎn)的情況下，爾必達(dá)于2011年1月在廣島工廠開(kāi)始量產(chǎn)30nmDRAM，量產(chǎn)規(guī)模在2011年1～3月為數(shù)千萬(wàn)枚/月。之后，隨著DRAM市場(chǎng)行情的復(fù)蘇而取消了減產(chǎn)計(jì)劃，廣島工廠恢復(fù)了12萬(wàn)枚/月的滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中預(yù)定在2011年4～6月使30nmDRAM比例達(dá)到20％（其余80％基本上都是40nm工藝產(chǎn)品）。也就是說(shuō)，2011年4～6月的30nmDRAM產(chǎn)量為2萬(wàn)4000枚/月（＝12萬(wàn)枚/月×20％）。
隨后，爾必達(dá)將在2011年7～9月把廣島工廠的30nmDRAM比例提高至30％。此外，還計(jì)劃向瑞晶工廠移植30nmDRAM技術(shù)，將2011年7～9月的30nmDRAM比例提高至50％。因此，把廣島工廠3萬(wàn)6000枚/月（＝12萬(wàn)枚/月×30％）和瑞晶工廠4萬(wàn)2500枚/月（＝8萬(wàn)5000枚/月×50％）的產(chǎn)能加起來(lái)，爾必達(dá)的30nmDRAM總產(chǎn)量將達(dá)到7萬(wàn)8500枚/月。之后，將在2011年10～12月把瑞晶工廠的30nmDRAM比例提高至100％。另外，廣島工廠還要兼顧其他產(chǎn)品的生產(chǎn)，2011年10～12月的30nmDRAM比例以及該比例達(dá)到100％的時(shí)間等“未定”（爾必達(dá)）。
關(guān)于30nmDRAM的具體生產(chǎn)計(jì)劃方面，2011年5月將首先面向個(gè)人電腦（PC）量產(chǎn)2GbitDDR3-SDRAM，之后在廣島工廠量產(chǎn)4GbitDDR2標(biāo)準(zhǔn)的“MobileRAM”和4GbitDDR3-SDRAM。瑞晶工廠將以量產(chǎn)PC用DRAM為核心。另外，據(jù)爾必達(dá)介紹，與該公司的40nmDRAM相比，30nmDRAM在每枚晶圓上的芯片獲取量將增加45％左右、耗電量將減少20％以上。
爾必達(dá)從2010年9月開(kāi)始開(kāi)發(fā)30nmDRAM，2010年底開(kāi)始向處理器廠商等大型客戶樣品供貨2Gbit產(chǎn)品。在市場(chǎng)行情惡化導(dǎo)致DRAM被迫整體減產(chǎn)的情況下，爾必達(dá)于2011年1月在廣島工廠開(kāi)始量產(chǎn)30nmDRAM，量產(chǎn)規(guī)模在2011年1～3月為數(shù)千萬(wàn)枚/月。之后，隨著DRAM市場(chǎng)行情的復(fù)蘇而取消了減產(chǎn)計(jì)劃，廣島工廠恢復(fù)了12萬(wàn)枚/月的滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中預(yù)定在2011年4～6月使30nmDRAM比例達(dá)到20％（其余80％基本上都是40nm工藝產(chǎn)品）。也就是說(shuō)，2011年4～6月的30nmDRAM產(chǎn)量為2萬(wàn)4000枚/月（＝12萬(wàn)枚/月×20％）。
隨后，爾必達(dá)將在2011年7～9月把廣島工廠的30nmDRAM比例提高至30％。此外，還計(jì)劃向瑞晶工廠移植30nmDRAM技術(shù)，將2011年7～9月的30nmDRAM比例提高至50％。因此，把廣島工廠3萬(wàn)6000枚/月（＝12萬(wàn)枚/月×30％）和瑞晶工廠4萬(wàn)2500枚/月（＝8萬(wàn)5000枚/月×50％）的產(chǎn)能加起來(lái)，爾必達(dá)的30nmDRAM總產(chǎn)量將達(dá)到7萬(wàn)8500枚/月。之后，將在2011年10～12月把瑞晶工廠的30nmDRAM比例提高至100％。另外，廣島工廠還要兼顧其他產(chǎn)品的生產(chǎn)，2011年10～12月的30nmDRAM比例以及該比例達(dá)到100％的時(shí)間等“未定”（爾必達(dá)）。
關(guān)于30nmDRAM的具體生產(chǎn)計(jì)劃方面，2011年5月將首先面向個(gè)人電腦（PC）量產(chǎn)2GbitDDR3-SDRAM，之后在廣島工廠量產(chǎn)4GbitDDR2標(biāo)準(zhǔn)的“MobileRAM”和4GbitDDR3-SDRAM。瑞晶工廠將以量產(chǎn)PC用DRAM為核心。另外，據(jù)爾必達(dá)介紹，與該公司的40nmDRAM相比，30nmDRAM在每枚晶圓上的芯片獲取量將增加45％左右、耗電量將減少20％以上。
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