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[導(dǎo)讀]工研院電光所所長(zhǎng)詹益仁表示,半導(dǎo)體在后CMOS時(shí)代,制程及電晶體將面臨物理上微縮極限,奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半導(dǎo)體界普遍看好未來(lái)取代矽晶材料的新材料,尤其是2010年諾貝爾獎(jiǎng)肯定石墨稀材料的優(yōu)異表現(xiàn)后,

工研院電光所所長(zhǎng)詹益仁表示,半導(dǎo)體在后CMOS時(shí)代,制程及電晶體將面臨物理上微縮極限,奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半導(dǎo)體界普遍看好未來(lái)取代矽晶材料的新材料,尤其是2010年諾貝爾獎(jiǎng)肯定石墨稀材料的優(yōu)異表現(xiàn)后,產(chǎn)業(yè)界對(duì)以碳基材料取代矽材料更充滿(mǎn)信心。

由于奈米碳管及石墨稀具有優(yōu)異的機(jī)械、高導(dǎo)電及導(dǎo)熱特性,可突破物理上微縮困境,讓電晶體再行縮小,使電子有機(jī)會(huì)從矽基時(shí)代進(jìn)入碳基時(shí)代,預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)先在下一世代邏輯電晶體、高頻元件及平面顯示器應(yīng)用。

今年VLSI-TSA研討會(huì)分別就奈米碳管及石墨稀的碳基材料,邀請(qǐng)IBM、美國(guó)史丹佛大學(xué)、哥倫比亞大學(xué)、日本慶應(yīng)義塾大學(xué)(KeioUniversity)德國(guó)伊爾墨瑙工業(yè)大學(xué)(TechnischeUniversitatIlmenau)等專(zhuān)家學(xué)者分享國(guó)際間對(duì)碳基電子的奈米碳管電子石墨稀等技術(shù)進(jìn)展的前景。

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