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三星權(quán)五鉉：DRAM價(jià)于第1季觸底回升

時(shí)間：2011-01-27 11:09:50

關(guān)鍵字： DRAM 三星存儲(chǔ)器芯片

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[導(dǎo)讀]三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉，出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見(jiàn)面會(huì)時(shí)曾表示，DRAM價(jià)格可能提早于第1季觸底并回升，第1季內(nèi)價(jià)格將有小幅下跌，價(jià)格隨即出現(xiàn)反彈，但不確定會(huì)發(fā)生在2月或3月。DRAM價(jià)格

三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉，出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見(jiàn)面會(huì)時(shí)曾表示，DRAM價(jià)格可能提早于第1季觸底并回升，第1季內(nèi)價(jià)格將有小幅下跌，價(jià)格隨即出現(xiàn)反彈，但不確定會(huì)發(fā)生在2月或3月。

DRAM價(jià)格從2010年第3季開(kāi)始價(jià)格持續(xù)呈現(xiàn)跌幅，而2010年12月更是跌破1美元關(guān)卡，進(jìn)入2011年后始見(jiàn)緩和。韓國(guó)業(yè)界也有推測(cè)指出，DRAM市場(chǎng)有可能更快趨于穩(wěn)定。業(yè)者認(rèn)為權(quán)五鉉的發(fā)言是暗示DRAM價(jià)格已接近谷底。

此外，權(quán)五鉉也表示，快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)于2011年內(nèi)將會(huì)維持穩(wěn)定的上升勢(shì)。平板計(jì)算機(jī)(Tablet)、智能型手機(jī)(Smartphone)需求穩(wěn)定，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的需求也正逐漸增加，因此價(jià)格能維持穩(wěn)定，甚至可能因需求增加而出現(xiàn)價(jià)格暴漲情況。

權(quán)五鉉對(duì)于2011年三星對(duì)半導(dǎo)體的投資案表示，先前已宣布將投資約10.3兆韓元(約92.08億美元)發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，系統(tǒng)LSI領(lǐng)域約4兆韓元(約3.58億美元)，其余則將投資存儲(chǔ)器事業(yè)。而10.3兆韓元投資額將視每季市場(chǎng)情況決定是否要進(jìn)行追加投資。而權(quán)五鉉對(duì)16產(chǎn)線則未透露任何消息。

近來(lái)韓國(guó)政府將系統(tǒng)單芯片列入重點(diǎn)培育事業(yè)，權(quán)五鉉對(duì)此表示，美國(guó)奧斯汀廠系統(tǒng)LSI產(chǎn)線將會(huì)如同先前公布的內(nèi)容一樣，2010年及2011年合計(jì)投資4.5兆韓元(約40.23億美元)。

此外，美國(guó)奧斯汀廠產(chǎn)線將于2011年下半投入量產(chǎn)。32納米制程也將于2011年下半推出實(shí)驗(yàn)性產(chǎn)品，并自2012年起生產(chǎn)多數(shù)的系統(tǒng)單芯片。對(duì)于晶圓代工方面則表示，2010年首度擠進(jìn)10大企業(yè)中，2011年機(jī)會(huì)更努力，成為領(lǐng)先企業(yè)。

海力士(Hynix)社長(zhǎng)權(quán)五哲則認(rèn)為目前DRAM價(jià)格已至谷底，并預(yù)測(cè)第1季便可能出現(xiàn)反彈。對(duì)于系統(tǒng)單芯片方面，權(quán)五哲則表示，所有事情都有先后順序，將會(huì)先把存儲(chǔ)器領(lǐng)域做好，才發(fā)展其它事業(yè)。

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