東芝與海力士半導(dǎo)體合作研發(fā)MRAM內(nèi)存技術(shù)

時間：2011-07-15 15:43:22

關(guān)鍵字： RAM 東芝內(nèi)存半導(dǎo)體

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[導(dǎo)讀]東芝周三（713）宣布與韓國海力士半導(dǎo)體（HynixSemiconductor）合作研發(fā)磁電阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）技術(shù)，今后將在韓國利川的海力士研究設(shè)施中集結(jié)雙方技術(shù)人才，積極推動此合作計劃。MRAM是一種低耗電、讀寫速度快

東芝周三（713）宣布與韓國海力士半導(dǎo)體（HynixSemiconductor）合作研發(fā)磁電阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）技術(shù)，今后將在韓國利川的海力士研究設(shè)施中集結(jié)雙方技術(shù)人才，積極推動此合作計劃。

MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存，東芝早在2007年時就已經(jīng)研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術(shù)，也就是能讓MRAM內(nèi)存儲存量增加至GB等級的垂直磁化技術(shù)。

藉由此次合作，東芝打算運用本身擅長的NAND閃存技術(shù)與MRAM組成信賴度高的組合式記憶系統(tǒng)，藉此創(chuàng)造除了SSD固態(tài)硬盤、芯片事業(yè)之外的新NAND閃存應(yīng)用模式。

東芝說明，選擇與海力士合作是因為該社有許多MRAM的研發(fā)實績，借著雙方合作既可降低研發(fā)成本，同時又能加速MRAM的實用化進程。往后也會視技術(shù)合作情形，與海力士協(xié)商研討共同制造MRAM相關(guān)產(chǎn)品的可能性。