美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)日前展示一款采用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的延遲線記憶體，可望作為未來量子電腦的暫存記憶體。
當(dāng) MEMS 中的記憶體元素在觸及以振幅與相位編碼量子資訊的微波脈沖時(shí)，將引起共振作用。由于這種機(jī)械振蕩作用將在一般量子運(yùn)作期間持續(xù)一段連續(xù)的時(shí)間，NIST認(rèn)為，微米級(jí)記憶體將可在量子計(jì)算期間暫時(shí)儲(chǔ)存資料。

原則上， MEMS 記憶體的運(yùn)作方式就像早期電腦時(shí)代的傳統(tǒng)延遲線記憶體一樣，利用水銀柱中的水銀傳送聲波的方式暫存資料。而近年來，同樣的延遲線記憶體的概念已經(jīng)用于測量光纖長度的光學(xué)系統(tǒng)中，以實(shí)現(xiàn)資料暫存。


JILA研究人員展示在藍(lán)寶石基底上的微型MEMS鼓與電路，它可用在未來量子電腦中的記憶體元件。
（圖片來源：NIST）

目前該原型已能為量子資訊暫儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)65%的效率了，但NIST認(rèn)為可望再進(jìn)一步改善微波光子(啟動(dòng)元件)與機(jī)械光子(讀取儲(chǔ)存值)之間的資料交換，從而為未來的量子電腦實(shí)現(xiàn)更為可行的暫存記憶體。

編譯：Susan Hong

(參考原文：NIST demos quantum MEMS，by R Colin Johnson)