在2013年1月舉行的MEMS國際學(xué)會“IEEE MEMS 2013”上，有一項(xiàng)發(fā)表稱已證實(shí)能夠在350℃環(huán)境下對μm級別的單晶硅進(jìn)行彎曲加工（論文編號：031）。從以前的實(shí)驗(yàn)結(jié)果來看，mm級別的單晶硅在 600℃以下施加應(yīng)力時(shí)首先會發(fā)生彈性形變，進(jìn)一步加大力量的話材料就會損壞。也就是說，一般在600℃以下不能通過永久變形來實(shí)現(xiàn)彎曲加工。

       此次使用厚度為2μm的μm級別材料進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，該材料在350～500℃的溫度下發(fā)生了永久變形?；谶@一結(jié)果，在500℃的溫度下對厚 2μm、寬10μm的線圈狀單晶硅的一處施加了30分鐘的應(yīng)力，對其進(jìn)行了彎曲加工。將這一成果應(yīng)用于MEMS加工時(shí)，即使在較低溫度下，也可使硅基板上 通過蝕刻等形成的構(gòu)造體實(shí)現(xiàn)三維形狀。

       將此次成果與其他研究成果共同應(yīng)用的話，對于尺寸更小的單晶硅，通過應(yīng)力使其永久變形的溫度可比350℃更低，有望擴(kuò)大MEMS加工的范圍。（記者：三宅常之，Tech-On?。?