SiTime在學(xué)會(huì)上發(fā)表頻率波動(dòng)不到1ppm、抖動(dòng)低于1ps的振蕩器
[導(dǎo)讀]美國(guó)SiTime在2012年6月于美國(guó)舉行的學(xué)會(huì)“15th Hilton Head Workshops on the science and technology of solid-state sensors, actuators, and microsystems（2012 Hilton Head Workshops）”上發(fā)表了可作為高速通信
美國(guó)SiTime在2012年6月于美國(guó)舉行的學(xué)會(huì)“15th Hilton Head Workshops on the science and technology of solid-state sensors, actuators, and microsystems（2012 Hilton Head Workshops）”上發(fā)表了可作為高速通信設(shè)備時(shí)鐘源的硅振蕩器詳細(xì)信息。該振蕩器內(nèi)置溫度補(bǔ)償電路，可大幅降低頻率波動(dòng)。采用此次技術(shù)的工藝，將成為該公司高性能產(chǎn)品的平臺(tái)。
這款硅振蕩器以SiTime的MEMS（微小電子機(jī)械系統(tǒng)）技術(shù)為基礎(chǔ)，利用與振蕩器集成在同一芯片上的熱敏電阻進(jìn)行溫度補(bǔ)償。當(dāng)輸出信號(hào)的頻率為48MHz時(shí)，在－40～＋85℃的溫度范圍內(nèi)，可將頻率波動(dòng)控制在±0.2ppm以內(nèi)、抖動(dòng)控制在1ps以下。某些條件下，還可替換還TCXO（溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器），這是此前的市售硅振蕩器難以實(shí)現(xiàn)的。
SiTime在發(fā)表中還公開(kāi)了該振蕩器的MEMS部分和熱敏電阻部分的詳細(xì)信息以及頻率穩(wěn)定性等數(shù)據(jù)。
在2012年1～2月舉行的MEMS領(lǐng)域國(guó)際學(xué)會(huì)“MEMS2012（The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems）”上，美國(guó)佐治亞理工學(xué)院（Georgia Institute of Technology）等也發(fā)表了可抑制硅振蕩器頻率波動(dòng)的技術(shù)。在此后由Tech-On！舉行的報(bào)告會(huì)上，日本東北大學(xué)副教授田中秀治介紹了該技術(shù)與SiTime的技術(shù)。
在“2012 Hilton Head Workshops”上，除了SiTime以外，其他公司也發(fā)表了旨在解決硅振蕩器課題的技術(shù)。
這款硅振蕩器以SiTime的MEMS（微小電子機(jī)械系統(tǒng)）技術(shù)為基礎(chǔ)，利用與振蕩器集成在同一芯片上的熱敏電阻進(jìn)行溫度補(bǔ)償。當(dāng)輸出信號(hào)的頻率為48MHz時(shí)，在－40～＋85℃的溫度范圍內(nèi)，可將頻率波動(dòng)控制在±0.2ppm以內(nèi)、抖動(dòng)控制在1ps以下。某些條件下，還可替換還TCXO（溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器），這是此前的市售硅振蕩器難以實(shí)現(xiàn)的。
SiTime在發(fā)表中還公開(kāi)了該振蕩器的MEMS部分和熱敏電阻部分的詳細(xì)信息以及頻率穩(wěn)定性等數(shù)據(jù)。
在2012年1～2月舉行的MEMS領(lǐng)域國(guó)際學(xué)會(huì)“MEMS2012（The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems）”上，美國(guó)佐治亞理工學(xué)院（Georgia Institute of Technology）等也發(fā)表了可抑制硅振蕩器頻率波動(dòng)的技術(shù)。在此后由Tech-On！舉行的報(bào)告會(huì)上，日本東北大學(xué)副教授田中秀治介紹了該技術(shù)與SiTime的技術(shù)。
在“2012 Hilton Head Workshops”上，除了SiTime以外，其他公司也發(fā)表了旨在解決硅振蕩器課題的技術(shù)。
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