封測臺廠持續(xù)布局3D IC。智慧型手機(jī)用CMOS影像感測元件，可率先采用3D IC技術(shù)，預(yù)估到2016年，整合應(yīng)用處理器和記憶體的3DIC技術(shù)，有機(jī)會量產(chǎn)。

媒體日前報(bào)導(dǎo)記憶體大廠美光(Micron)為布局3D IC技術(shù)，計(jì)劃透過華亞科結(jié)合封測大廠日月光，在臺合資設(shè)立3D IC封測廠。盡管日月光否認(rèn)合資傳聞，但半導(dǎo)體大廠和封測大廠布局3D IC的腳步，并未因此減緩。

隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和云端世界逐漸成熟，加上智慧型手機(jī)和平板電腦持續(xù)成長，內(nèi)建晶片和記憶體更講究微型化、高效能和低功耗的系統(tǒng)整合設(shè)計(jì)，封裝技術(shù)也需因應(yīng)相關(guān)趨勢，因此半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)研發(fā)3D IC技術(shù)。

國外半導(dǎo)體大廠包括艾克爾(Amkor)、意法半導(dǎo)體(STM)、三星電子(Samsung)、美光(Micron)、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、IBM、英特爾(Intel)等，持續(xù)積極布局3D IC技術(shù)。

市場評估，3D IC技術(shù)會先在智慧型手機(jī)領(lǐng)域萌芽，包括整合邏輯IC和記憶體的手機(jī)應(yīng)用處理器(application processor)、高階伺服器的繪圖處理器整合記憶體、或是手機(jī)相機(jī)鏡頭內(nèi)的CMOS影像感測元件等，都將陸續(xù)采用3D IC技術(shù)。

CMOS影像感測元件有機(jī)會率先采用3D IC技術(shù)。工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示，今年全球行動通訊大會(MWC)上、主要品牌大廠展示高階旗艦智慧型手機(jī)產(chǎn)品，其中照相鏡頭多數(shù)采用索尼(SONY)的背照式(BSI)CMOS影像感測元件，相關(guān)元件可帶動3D IC封裝。

整合邏輯IC和記憶體的應(yīng)用處理器，應(yīng)該會直接采用3D IC和矽穿孔(TSV)制程，以解決行動裝置記憶體頻寬、因應(yīng)智慧型手機(jī)應(yīng)用處理器效能提高的問題。

3D IC技術(shù)也可改善記憶體產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠度，并降低成本與縮小產(chǎn)品尺寸。

陳玲君預(yù)估，整合應(yīng)用處理器和記憶體的3D IC技術(shù)，有機(jī)會在2016年開始量產(chǎn)。

臺廠包括臺積電、日月光、矽品、力成等，也持續(xù)布局3D IC。

陳玲君指出，力成湖口新廠，設(shè)立3D IC研發(fā)中心，鎖定CMOS影像感測元件(CIS)應(yīng)用。矽品開發(fā)的3D IC技術(shù)，將應(yīng)用在邏輯IC產(chǎn)品。

觀察臺廠布局3D IC進(jìn)展，產(chǎn)業(yè)人士認(rèn)為，3D IC主導(dǎo)權(quán)還是會在晶圓代工廠臺積電，因?yàn)?D IC矽穿孔技術(shù)，牽涉到晶圓前端制程。不過晶圓代工廠不會全吃3DIC，封測廠切入3D IC領(lǐng)域，與晶圓代工廠是上下游合作的關(guān)系。

3D IC應(yīng)用若需進(jìn)一步成熟，仍有不少面向尚待克服，包括記憶體堆疊、設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)、生產(chǎn)良率、測試方法、散熱解決方案、以及關(guān)鍵的降低BOM表(Bill of Material)成本等因素。

從產(chǎn)業(yè)鏈來看，半導(dǎo)體晶圓代工、專業(yè)封裝測試代工(OSAT)、模組生產(chǎn)測試到系統(tǒng)組裝，前后生產(chǎn)鏈之間已經(jīng)相互重疊，研發(fā)3D IC，產(chǎn)業(yè)鏈勢必要彼此合作共生