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[導(dǎo)讀]京瓷化成將把2011年發(fā)布的“熔化封裝膜”用作半導(dǎo)體封裝材料。該公司在2013年10月1~5日于幕張Messe會展中心舉行的“CEATEC JAPAN 2013”上展示了熔化封裝膜。 熔化封裝膜是膜狀的熱硬化型環(huán)氧樹脂,放在電子元

京瓷化成將把2011年發(fā)布的“熔化封裝膜”用作半導(dǎo)體封裝材料。該公司在2013年10月1~5日于幕張Messe會展中心舉行的“CEATEC JAPAN 2013”上展示了熔化封裝膜。

熔化封裝膜是膜狀的熱硬化型環(huán)氧樹脂,放在電子元器件上加熱便會熔化成液體填充縫隙。在100℃下加熱1小時即可完成熱硬化,因此只要有烤爐,就可以輕松封裝(參閱本站報道)。

不過,以前的熔化封裝膜并不能作為半導(dǎo)體芯片的封裝材料使用。這是因為,當(dāng)其變成液體填充縫隙時容易產(chǎn)生空洞(空隙),會導(dǎo)致引線鍵合連接部的可靠性降低。

實際上,半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域?qū)δ罘庋b樹脂的需求非常強(qiáng)烈。半導(dǎo)體封裝工藝一般都會采用將樹脂注入模具的傳遞模塑法。最近的封裝厚度越來越低、模具尺寸也越來越大,因此注入樹脂變得十分困難,所以業(yè)內(nèi)正轉(zhuǎn)向使用樹脂粉末的壓縮成型法來封裝器件。但采用這種方法時,由于很難均勻地平鋪粉末,因此需要膜狀樹脂。

為此,京瓷化成改進(jìn)了熔化封裝膜的材料,開發(fā)出了可作為半導(dǎo)體封裝材料使用的膜狀樹脂,并已開始樣品供貨。但遺憾的是,改進(jìn)后的膜狀樹脂沒有在此次的CEATEC上展出,而是決定在2014年的INTER NEPCON上展出。(記者:木村 雅秀,日經(jīng)BP半導(dǎo)體調(diào)查)




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