南韓三星電子表示，將在中國大陸，新投入五億美元，新建半導(dǎo)體后工程生產(chǎn)線。

此次投資主要為，三星電子在西安高新區(qū)三星電子一期投資七十億美元的高端存儲晶片專案，也就是十二英寸快閃記憶體晶片生產(chǎn)線，增建10-X納米級NAND快閃記憶體晶片、封裝測試及固態(tài)硬碟組裝生產(chǎn)線。

韓聯(lián)社在報導(dǎo)中說，后工程生產(chǎn)線計劃，于明年一月開始建設(shè)，明年底完工，位于在建的半導(dǎo)體工廠附近。由此，三星電子在西安進行的半導(dǎo)體設(shè)備，相關(guān)投資總額達七十五億美元。

三星電子去年九月投入七十億美元，在西安建設(shè)十納米級快閃記憶體產(chǎn)品的生產(chǎn)工廠。此外，三星電子為了在當(dāng)?shù)赝诰騼?yōu)秀人才，并構(gòu)建研發(fā)基地，在西安高新區(qū)，設(shè)立了規(guī)模達四千兩百二十七平米的研發(fā)中心。到目前為止，三星電子在中國大陸運營的研發(fā)中心，共有八所。（王長偉 首爾報導(dǎo)）