電子產(chǎn)品驗(yàn)證服務(wù)商宜特（3289）與子公司上海宜碩，獲選進(jìn)入IEEE等級(jí)、半導(dǎo)體故障分析領(lǐng)域的集成電路失效分析論壇IPFA 2013發(fā)表研究成果。宜特此次將以IC質(zhì)量為主軸，分別探討「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」、「EOS 脈沖波過電保護(hù)」等三方面的檢測(cè)能力，并將屆此搶進(jìn)3D IC檢測(cè)市場(chǎng)。

在3DIC 方面，宜特研究出兩種克服的方式，其一是利用研磨技術(shù)將3D IC微凸塊（u-bump）失效區(qū)域定位，并搭配聚焦離子束顯微鏡（FIB），將其失效微凸塊切削進(jìn)行斷面觀察；其二是擴(kuò)大可觀察的微凸塊范圍，從100um提升至3000um，此兩項(xiàng)技術(shù)亦可使用在3D IC的直通矽晶穿孔（TSV）結(jié)構(gòu)觀察。

在IC電磁輻射消除的研究上，宜特藉由傳統(tǒng)與專利研發(fā)的新型FIB搭配，將任意電容值的電容放置于IC芯片上，并與IC內(nèi)部的訊號(hào)節(jié)點(diǎn)作連結(jié)。藉此方法，客戶不需重新投片，即可找到電磁輻射源頭并加以消除，提供IC設(shè)計(jì)者一種CP值極高的IC EMI解決方案。

在EOS 脈沖波過電保護(hù)部份，宜特藉由脈沖波模擬不同制程的IC上電，從其產(chǎn)生的過度電性應(yīng)力（EOS）機(jī)制進(jìn)行研究，在這當(dāng)中，發(fā)現(xiàn)EOS耐受能力與脈沖時(shí)間存在「線性關(guān)系」，同時(shí)也發(fā)現(xiàn)IC制程本身閘氧崩潰與電壓有關(guān)。從此測(cè)試，亦可提供客戶簡(jiǎn)易方式，來對(duì)元件進(jìn)行抗受力測(cè)試，亦可對(duì)于元件過電保護(hù)，提供一個(gè)有效參考指標(biāo)。