英飛凌科技(Infineon Technologies)推出 DrBlade 系列采用創(chuàng)新晶片嵌入式封裝技術(shù)的整合式 DC/DC 驅(qū)動(dòng)器及 MOSFET VR 功率級(jí)(power stage)，包含最新一代的低壓 DC/DC驅(qū)動(dòng)器技術(shù)及 OptiMOS MOSFET 元件。MOSFET 技術(shù)擁有最低的導(dǎo)通阻抗及應(yīng)用最佳化的優(yōu)值系數(shù)，能達(dá)到最高的 DC/DC 穩(wěn)壓應(yīng)用效率，適用于電腦及電信，包括刀鋒(Blade)及機(jī)架式(Rack)伺服器、電腦主機(jī)板、筆記型電腦及游戲機(jī)等。
英飛凌創(chuàng)新的 Blade 封裝技術(shù)，采用晶片嵌入概念，使用電鍍制程以取代標(biāo)準(zhǔn)的封裝制程，例如打線(xiàn)、夾焊以及常見(jiàn)的成形技術(shù)。此外，晶片也加以層壓介質(zhì)(laminate foil)保護(hù)，使裝置得以大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時(shí)亦降低熱阻。DrBlade 封裝面積為 5x5mm，高度僅 0.5mm，可滿(mǎn)足電腦系統(tǒng)對(duì)于更高的功率密度及省空間的需求。

DrBlade 擁有最佳化的針腳規(guī)劃，可簡(jiǎn)化 PCB 布線(xiàn)。采用全新的晶片嵌入式封裝技術(shù)，再結(jié)合英飛凌的 OptiMOS MOSFET，使 DrBlade 成為低電壓市場(chǎng)最佳的解決方案。DrBlade 目前已開(kāi)始提供樣品，并將自 2013 年第二季開(kāi)始量產(chǎn)。