富士膠片在“nano tech 2013（第12屆國(guó)際納米技術(shù)綜合展）”（東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上，展出了可大量形成直徑60nm的微細(xì)通孔的2.5維及三維封裝用轉(zhuǎn)接板技術(shù)。

作為2.5維及三維封裝用轉(zhuǎn)接板的候選，業(yè)界正在探討可形成TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板以及可形成TGV（玻璃通孔）的玻璃轉(zhuǎn)接板。此次富士膠片的轉(zhuǎn)接板的特點(diǎn)是通孔直徑約為60nm，可縮小至TSV和TGV的1/100左右。


通過鋁的陽極氧化，像蜂窩一樣形成直徑為60nm的微細(xì)通孔（點(diǎn)擊放大）

現(xiàn)場(chǎng)演示表明，微細(xì)通孔會(huì)在厚度方向?qū)?，在平面方向不?dǎo)通（點(diǎn)擊放大）


具體方法是，首先使厚度為80μm的鋁（Al）基板實(shí)現(xiàn)陽極氧化，像蜂窩一樣形成大量在厚度方向貫通的、直徑約為60nm的通孔。然后，采用鍍銅等工藝將銅嵌入其內(nèi)部全體以形成通孔。

在該基板上形成電路圖案時(shí)，鋁氧化物會(huì)成為絕緣體，因此可在平面方向上保持絕緣性。另外，在基板正面和背面電路圖案重復(fù)的部分，微細(xì)通孔會(huì)在厚度方向全部導(dǎo)通，因此無需單獨(dú)設(shè)計(jì)通孔。這樣就使得“布線設(shè)計(jì)的自由度大大提高”（富士膠片的解說員）。而且，將沒有使用的銅通孔部分接地（GND）后，有望實(shí)現(xiàn)噪聲抑制（屏蔽）效果等。

通孔的直徑約為60nm，深度約為80μm，寬高比非常大。因此難以均勻地在通孔內(nèi)部進(jìn)行鍍銅，不過富士膠片利用自主開發(fā)的技術(shù)克服了這一點(diǎn)。富士膠片雖然曾在過去介紹過此類加工技術(shù)，不過此次是首次作為2.5維及三維封裝用轉(zhuǎn)接板技術(shù)進(jìn)行展示。該公司表示，如果客戶需要便可樣品供貨。（記者：木村 雅秀，《日經(jīng)電子》）