測(cè)試設(shè)備大廠愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試(Advantest, NYSE: ATE)看準(zhǔn)3D IC技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)，持續(xù)布局高階測(cè)試方案，今宣布推出專為晶圓級(jí)測(cè)試所開(kāi)發(fā)的多視角量測(cè)掃描式電子顯微鏡 (MVM-SEM)系統(tǒng)E3310。愛(ài)德萬(wàn)指出，該系統(tǒng)可提供高穩(wěn)定性、高精確性的3D量測(cè)功能，可滿足發(fā)展下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)所需。
愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試表示，過(guò)去半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展，始終遵循著摩爾定律(Moore`s Law)，但在今日邁向更小制程發(fā)展時(shí)仍不免遇上技術(shù)瓶頸。愛(ài)德萬(wàn)并舉例說(shuō)明，F(xiàn)inFET (鰭狀場(chǎng)效電晶體) 等3D電晶體技術(shù)的發(fā)展 ，可望銜接22奈米節(jié)點(diǎn)與后續(xù)1X奈米節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)之間的鴻溝，不過(guò)當(dāng)制程持續(xù)縮微，也隨之衍生出更高階的量測(cè)需求。
愛(ài)德萬(wàn)表示，最新推出的E3310量測(cè)系統(tǒng)采用電子束(E-beam)掃描技術(shù)，足以支應(yīng)22奈米級(jí)以下的制程測(cè)試需求，其穩(wěn)定性與精確性，亦可協(xié)助客戶在開(kāi)發(fā)1X奈米等級(jí)制程時(shí)，縮短制程周期、提高產(chǎn)品良率。

愛(ài)德萬(wàn)指出，E3310提供專利偵測(cè)演算法，可對(duì)目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全面采行的3D FinFET架構(gòu)進(jìn)行量測(cè)；同時(shí)其支援材料除了矽晶圓之外，還可應(yīng)用于包括石英、碳化矽等材料所制程的晶圓。
愛(ài)德萬(wàn)將在今年12月5-7日舉行的SEMICON Japan期間，展出E3310在內(nèi)的多款最新量測(cè)解決方案。