封測布局先進SiP 可切內(nèi)埋
[導(dǎo)讀]工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,封測廠商布局先進系統(tǒng)級封裝(SiP),可從內(nèi)埋技術(shù)切入。
工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,臺灣需建立垂直整合的系統(tǒng)級封裝(SiP)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu);從
工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,封測廠商布局先進系統(tǒng)級封裝(SiP),可從內(nèi)埋技術(shù)切入。
工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,臺灣需建立垂直整合的系統(tǒng)級封裝(SiP)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu);從SiP封裝終端產(chǎn)品應(yīng)用來看,手機就占7成,基地臺和筆電應(yīng)用各占8%和7%;包括日月光、矽品、力成等封測大廠,都積極研發(fā)SiP封裝技術(shù)。
在記憶體封測廠商部分,陳玲君表示,力成針對手持裝置和資料儲存設(shè)備記憶體應(yīng)用,持續(xù)研發(fā)多晶片封裝(MCP)的SiP技術(shù);群豐也針對行動和微電子產(chǎn)品應(yīng)用研發(fā)多晶片封裝技術(shù);南茂則開發(fā)堆疊式晶片尺寸封裝(Stack CSP)技術(shù)。
陳玲君表示,針對功率放大器、收發(fā)器、前端射頻模組和無線通訊晶片,日月光透過并購環(huán)隆電氣(USI),取得射頻SiP模組在設(shè)計、制造和測試相關(guān)技術(shù),聚焦中高和中低階SiP市場。
矽品正在研發(fā)矽穿孔(TSV)技術(shù)、3D系統(tǒng)級封裝和整合被動元件IPD (Integrated Passive Device)等技術(shù);力成與聯(lián)電(UMC)和爾必達(Elpida)策略聯(lián)盟,也正在開發(fā)記憶體矽穿孔堆疊封裝技術(shù)。
觀察SiP封裝新興技術(shù),陳玲君指出,SiP新興技術(shù)包括2.5D IC、3D IC、矽穿孔(TSV)和內(nèi)埋封裝技術(shù);半導(dǎo)體前段晶圓代工廠在2.5D IC和3D IC相對有整合優(yōu)勢,一線后段封測代工大廠(OSAT)布局SiP先進封裝,可切入扇出型晶圓級封裝(FOWLP)和Embedded IC等內(nèi)埋封裝技術(shù)。
陳玲君指出,SiP封裝廣泛應(yīng)用在智慧型手機產(chǎn)品,包括蘋果和三星的高階智慧型手機,將有機會率先采用矽穿孔系統(tǒng)級封裝技術(shù);中階和入門級的智慧型手機產(chǎn)品,則會多采用扇出型晶圓級封裝和Embedded IC技術(shù),這塊市場規(guī)模相對更大,封測廠可積極布局。
陳玲君表示,扇出型晶圓級封裝也會走入3D FOWLP,目前包括英飛凌(Infineon)和意法半導(dǎo)體(STM)等晶片大廠,也布局扇出型晶圓級封裝技術(shù)。
工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,臺灣需建立垂直整合的系統(tǒng)級封裝(SiP)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu);從SiP封裝終端產(chǎn)品應(yīng)用來看,手機就占7成,基地臺和筆電應(yīng)用各占8%和7%;包括日月光、矽品、力成等封測大廠,都積極研發(fā)SiP封裝技術(shù)。
在記憶體封測廠商部分,陳玲君表示,力成針對手持裝置和資料儲存設(shè)備記憶體應(yīng)用,持續(xù)研發(fā)多晶片封裝(MCP)的SiP技術(shù);群豐也針對行動和微電子產(chǎn)品應(yīng)用研發(fā)多晶片封裝技術(shù);南茂則開發(fā)堆疊式晶片尺寸封裝(Stack CSP)技術(shù)。
陳玲君表示,針對功率放大器、收發(fā)器、前端射頻模組和無線通訊晶片,日月光透過并購環(huán)隆電氣(USI),取得射頻SiP模組在設(shè)計、制造和測試相關(guān)技術(shù),聚焦中高和中低階SiP市場。
矽品正在研發(fā)矽穿孔(TSV)技術(shù)、3D系統(tǒng)級封裝和整合被動元件IPD (Integrated Passive Device)等技術(shù);力成與聯(lián)電(UMC)和爾必達(Elpida)策略聯(lián)盟,也正在開發(fā)記憶體矽穿孔堆疊封裝技術(shù)。
觀察SiP封裝新興技術(shù),陳玲君指出,SiP新興技術(shù)包括2.5D IC、3D IC、矽穿孔(TSV)和內(nèi)埋封裝技術(shù);半導(dǎo)體前段晶圓代工廠在2.5D IC和3D IC相對有整合優(yōu)勢,一線后段封測代工大廠(OSAT)布局SiP先進封裝,可切入扇出型晶圓級封裝(FOWLP)和Embedded IC等內(nèi)埋封裝技術(shù)。
陳玲君指出,SiP封裝廣泛應(yīng)用在智慧型手機產(chǎn)品,包括蘋果和三星的高階智慧型手機,將有機會率先采用矽穿孔系統(tǒng)級封裝技術(shù);中階和入門級的智慧型手機產(chǎn)品,則會多采用扇出型晶圓級封裝和Embedded IC技術(shù),這塊市場規(guī)模相對更大,封測廠可積極布局。
陳玲君表示,扇出型晶圓級封裝也會走入3D FOWLP,目前包括英飛凌(Infineon)和意法半導(dǎo)體(STM)等晶片大廠,也布局扇出型晶圓級封裝技術(shù)。





