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[導(dǎo)讀]封測大廠矽品(2325)今年專注中高階封測市場,積極擴展四方形平面無引腳(QFN)、覆晶封裝(Flip Chip)整合銅柱凸塊(Copper Pillar)以及矽穿孔(TSV)3D IC三大領(lǐng)域。 矽品董事長林文伯今天早上與聯(lián)電(2303)榮譽副董事長

封測大廠矽品(2325)今年專注中高階封測市場,積極擴展四方形平面無引腳(QFN)、覆晶封裝(Flip Chip)整合銅柱凸塊(Copper Pillar)以及矽穿孔(TSV)3D IC三大領(lǐng)域。

矽品董事長林文伯今天早上與聯(lián)電(2303)榮譽副董事長宣明智共同召開記者會,公開力挺九二共識。林文伯表示,今年第1季將是今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣谷底,矽品今年將專注中高階封測市場。

矽品相關(guān)人士指出,今年中高階封測產(chǎn)品的關(guān)鍵量產(chǎn)焦點,集中在PoP(Package on Package)封裝、強化型QFN(eQFN)封裝以及覆晶封裝,另外積極提前矽穿孔3D IC量產(chǎn)時間。

在四方形平面無引腳(QFN)領(lǐng)域,矽品朝向多排QFN(Multi row QFN)發(fā)展,今年也積極計劃量產(chǎn)強化型QFN(eQFN)封裝技術(shù)。

在覆晶封裝部分,覆晶封裝的植凸塊技術(shù)講究更小凸塊間距和無鉛環(huán)保,正從錫球凸塊朝向銅柱凸塊演進。矽品今年持續(xù)投資覆晶封裝機臺,今年計劃量產(chǎn)銅柱凸塊整合晶片尺寸覆晶封裝(FC-CSP)產(chǎn)品。

在矽穿孔(TSV)3D IC封裝領(lǐng)域,矽品采取直接進軍3D IC策略,正與歐美客戶合作開發(fā)采用28奈米制程的手機通訊晶片產(chǎn)品,以及PC微處理器產(chǎn)品,預(yù)計在2013年進入量產(chǎn)階段。

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