容許電流分別為15A（左）和50A（右）的封裝（點(diǎn)擊放大）

封裝的解說板（點(diǎn)擊放大）

可雙芯片封裝SiC功率元件的功率模塊基板（點(diǎn)擊放大）

降低了寄生電感成分的功率模塊基板（點(diǎn)擊放大）

解說板（點(diǎn)擊放大）
京瓷展出了可靠性得到提高的封裝和功率模塊基板，計(jì)劃用于SiC功率元件。其中，封裝為容許電流分別為15A和50A的兩款產(chǎn)品。

功率模塊基板也展出了兩款產(chǎn)品。一款可雙芯片安裝SiC功率元件。另一款降低了寄生電感成分。該基板已被日本技術(shù)研究組合新一代功率電子研究開發(fā)機(jī)構(gòu)（FUPET）試制的輸出功率密度為40kW/L的SiC功率模塊采用。除了該模塊外，還可用于其他模塊。實(shí)用化存在的課題之一是確保熱循環(huán)時(shí)的可靠性?！霸冢?0℃～+300℃溫度循環(huán)下的可靠性尚未完全確認(rèn)”（解說員）。（記者：根津 禎，《日經(jīng)電子》）