在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴(yán)格等因素驅(qū)使下，市場對電源供應(yīng)系統(tǒng)的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應(yīng)此一發(fā)展趨勢，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術(shù)的低壓金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)，具備低電阻、低電感、低熱阻及小尺寸特性，可為終端產(chǎn)品帶來更強(qiáng)悍的市場競爭力。

臺灣英飛凌應(yīng)用工程經(jīng)理林錦宏表示，未來Blade封裝技術(shù)也將會運用在高壓MOSFET的產(chǎn)品開發(fā)。
臺灣英飛凌應(yīng)用工程經(jīng)理林錦宏表示，為符合現(xiàn)今嚴(yán)苛的能源標(biāo)準(zhǔn)，效率和功率密度將會是電源轉(zhuǎn)換及電源管理系統(tǒng)設(shè)計時的兩大重點。因此，勢必得在研發(fā)電源轉(zhuǎn)換關(guān)鍵元件--MOSFET時，設(shè)法降低導(dǎo)通損失與切換損失，進(jìn)而使MOSFET效能發(fā)揮到淋漓盡致。

林錦宏進(jìn)一步指出，為解決導(dǎo)通損失與切換損失的問題，英飛凌耗時1年所研發(fā)的Blade封裝技術(shù)，淘汰過往的夾片(Clip)或打線接合(Wire Bonding)設(shè)計，改采類似電鍍的方式與印刷電路板(PCB)接合，實現(xiàn)低電阻與低電感等特性，并分別達(dá)到讓導(dǎo)通耗損最小化與開關(guān)損耗大幅降低的效果，進(jìn)而使電源供應(yīng)器的整體功耗下降，讓裝置更為省電。此外，該封裝技術(shù)為3毫米(mm)×3毫米的超小尺寸，還能夠使體積縮減到最小，達(dá)到降低成本與減少占位面積的目的，使多出來的空間能給予客戶更大的設(shè)計彈性。

目前MOSFET封裝技術(shù)主流仍為SuperSO8，其較上一代TO-220封裝技術(shù)可提升約0.4%的效率，而Blade封裝則可比SuperSO8再多提升1%的效率，且尺寸更為精巧。至于元件散熱方面，過往使用SuperSO8封裝技術(shù)僅依靠印刷電路板來進(jìn)行散熱，容易導(dǎo)致熱阻過高，為解決此問題，Blade系在封裝頂部加上一塊銅片，再結(jié)合PCB雙管齊下，可提供更佳的散熱效果。

據(jù)了解，英飛凌使用Blade封裝技術(shù)的MOSFET產(chǎn)品將于2011年第四季開始送樣，明年第一季正式開始量產(chǎn)。主要應(yīng)用領(lǐng)域?qū)i定在須要高效率電源轉(zhuǎn)換的設(shè)備上，例如開關(guān)式電源伺服器、太陽能應(yīng)用，以及電動車等相關(guān)設(shè)備。

除改用新的封裝技術(shù)外，英飛凌也計劃透過導(dǎo)入新的材料，來提升MOSFET元件性能指數(shù)(FOM)。林錦宏表示，目前已有業(yè)者朝氮化鎵(GaN)材料的方向研發(fā)，其元件性能指數(shù)可比目前的主流材料矽(Si)高出將近十倍，且低導(dǎo)通電阻的特性也較矽更為優(yōu)秀。但由于目前GaN在制程上的良率過低，預(yù)計至少還得花3年的時間才有可能大量應(yīng)用在市場上，屆時再搭配先進(jìn)的封裝技術(shù)，將可徹底落實綠色電源的設(shè)計宗旨。