在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴格等因素驅使下，市場對電源供應系統(tǒng)的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應此一發(fā)展趨勢，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術的低壓金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)，具備低電阻、低電感、低熱阻及小尺寸特性，可為終端產品帶來更強悍的市場競爭力。

臺灣英飛凌應用工程經理林錦宏表示，未來Blade封裝技術也將會運用在高壓MOSFET的產品開發(fā)。
臺灣英飛凌應用工程經理林錦宏表示，為符合現(xiàn)今嚴苛的能源標準，效率和功率密度將會是電源轉換及電源管理系統(tǒng)設計時的兩大重點。因此，勢必得在研發(fā)電源轉換關鍵元件--MOSFET時，設法降低導通損失與切換損失，進而使MOSFET效能發(fā)揮到淋漓盡致。

林錦宏進一步指出，為解決導通損失與切換損失的問題，英飛凌耗時1年所研發(fā)的Blade封裝技術，淘汰過往的夾片(Clip)或打線接合(Wire Bonding)設計，改采類似電鍍的方式與印刷電路板(PCB)接合，實現(xiàn)低電阻與低電感等特性，并分別達到讓導通耗損最小化與開關損耗大幅降低的效果，進而使電源供應器的整體功耗下降，讓裝置更為省電。此外，該封裝技術為3毫米(mm)×3毫米的超小尺寸，還能夠使體積縮減到最小，達到降低成本與減少占位面積的目的，使多出來的空間能給予客戶更大的設計彈性。

目前MOSFET封裝技術主流仍為SuperSO8，其較上一代TO-220封裝技術可提升約0.4%的效率，而Blade封裝則可比SuperSO8再多提升1%的效率，且尺寸更為精巧。至于元件散熱方面，過往使用SuperSO8封裝技術僅依靠印刷電路板來進行散熱，容易導致熱阻過高，為解決此問題，Blade系在封裝頂部加上一塊銅片，再結合PCB雙管齊下，可提供更佳的散熱效果。

據了解，英飛凌使用Blade封裝技術的MOSFET產品將于2011年第四季開始送樣，明年第一季正式開始量產。主要應用領域將會鎖定在須要高效率電源轉換的設備上，例如開關式電源伺服器、太陽能應用，以及電動車等相關設備。

除改用新的封裝技術外，英飛凌也計劃透過導入新的材料，來提升MOSFET元件性能指數(shù)(FOM)。林錦宏表示，目前已有業(yè)者朝氮化鎵(GaN)材料的方向研發(fā)，其元件性能指數(shù)可比目前的主流材料矽(Si)高出將近十倍，且低導通電阻的特性也較矽更為優(yōu)秀。但由于目前GaN在制程上的良率過低，預計至少還得花3年的時間才有可能大量應用在市場上，屆時再搭配先進的封裝技術，將可徹底落實綠色電源的設計宗旨。