李洵穎／臺北 晶片制程逐漸自40奈米往28奈米微縮，晶片體積變小，對空間、密度要求更高，加上成本壓力有增無減，將促使其他晶片廠改采銅柱凸塊，以取代錫鉛凸塊。臺系3大封測廠日月光、矽品和力成皆已感受到上述趨勢，紛紛積極布局，預計下半年起應可見成果。

日月光表示，由于晶片制程已逐漸自40奈米往28奈米微縮，晶片體積變小，對空間、密度要求更高，加上成本壓力有增無減，將促使其他晶片廠商改采銅柱凸塊，尤其通訊晶片產(chǎn)品采用銅柱凸塊的情況亦益趨增加。

受到智慧型手機講求短薄、功能多元以及電力持久，尤其為預留較大的電池空間，不但得提高晶片密度，同時晶片厚度也必須變薄，因此銅柱凸塊便成為較佳的覆晶植球技術(shù)。

綜觀業(yè)界，通訊晶片廠現(xiàn)僅德儀(TI)正式量產(chǎn)，基頻晶片平臺OMAP4就采用銅柱凸塊技術(shù)。其余主要通訊晶片大廠如高通(Qualcomm)、邁威爾(Marvell)、博通(Broadcom)、英飛凌(Infineon)，也都會往上述趨勢發(fā)展。

就封裝廠而言，臺灣3大封測廠皆具備相關(guān)技術(shù)能力。在銅打線制程領(lǐng)先的日月光銅柱凸塊已開始送樣認證。根據(jù)客戶產(chǎn)品藍圖規(guī)畫，隨著28奈米制程在2012年躍升主流，也將使推升銅柱凸塊需求大幅? 赤齱C

針對銅柱凸塊，矽品董事長林文伯日前指出，銅柱凸塊用于晶片尺寸覆晶封裝(FC CSP)、球閘陣列覆晶封裝(FC BGA)等封裝型態(tài)，比起錫鉛凸塊，載板成本可獲得降低，進而壓低整體封裝成本下滑。針對12吋晶圓，矽品已與臺積電、聯(lián)電合作28奈米制程用的銅柱凸塊制程。

林文伯坦承，該公司過去在FC CSP領(lǐng)域相對同業(yè)落后，主因在于客戶結(jié)構(gòu)缺乏國際整合元件(IDM)廠，但2011年在? 粁DM的策略下，會大力投資FC CSP量產(chǎn)業(yè)務，預計下半年會有1~2客戶大量生產(chǎn)，其中一個是手機晶片客戶，開始轉(zhuǎn)進FC CSP，用于手機的數(shù)位訊號處理器(DSP)；其他是海外客戶也在認證中。FC CSP對于矽品2011年下半與2012年，是很重要的成長動力。

力成董事長蔡篤恭指出，該公司在3年前，即與IBM簽訂銅柱的技術(shù)，但當時并未跨入凸塊部分。不過，現(xiàn)已有相關(guān)機臺到位，并與客戶進行認證中，預計2011年第4季~2012年第1季即可量產(chǎn)。

蔡篤恭說，銅柱凸塊可用于DRAM、邏輯IC和類比IC方面。其中在DRAM部分，三星電子(Samsung Electronics)的GDDR5已開始采用覆晶封裝，銅柱凸塊有助于低耗電量、提高效能及適合輕薄要求。就目前而言，銅柱凸塊成本比打金線為高，主要系因未達到經(jīng)濟規(guī)模，因此力成計劃在竹科的實驗工廠提高銅柱凸塊月產(chǎn)能，由1萬片在2012年第1季增加為3萬片。

蔡篤恭認為，當月產(chǎn)能提升到3萬~5萬片經(jīng)濟規(guī)模后，銅柱凸塊成本將可望下降，比原有錫鉛凸塊減少20%以上。