李洵穎／臺(tái)北 根據(jù)統(tǒng)計(jì)，IC封測(cè)數(shù)量持續(xù)成長(zhǎng)，其中又以覆晶封裝和晶圓級(jí)封裝成長(zhǎng)力道最明顯，主要系因應(yīng)低成本、高容量和高效能的系統(tǒng)需求。雖然成長(zhǎng)趨勢(shì)不變，但封測(cè)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)增加，包括平均單價(jià)下滑、材料成本高升等。上述趨勢(shì)帶動(dòng)高效能IC封裝技術(shù)如帶動(dòng)銅柱、層疊封裝和TSV 3D IC等興起。其中3D IC趨勢(shì)正在形成當(dāng)中，預(yù)料將成為后PC時(shí)代的主流，掌握3D IC封裝技術(shù)的業(yè)者包括日月光、矽品、力成等，將可領(lǐng)先掌握商機(jī)。

根據(jù)Yole預(yù)測(cè)顯示，整體IC封裝量自2007~2012年的復(fù)合成長(zhǎng)率為9%，若以封裝型態(tài)區(qū)分，則又以晶圓級(jí)封裝和QFN成長(zhǎng)力道最大，成長(zhǎng)率皆達(dá)20%。

Prismark則估計(jì)，2009年整體IC封裝數(shù)量為1,440億顆，預(yù)測(cè)2014年將成為2,100億顆，成長(zhǎng)率為45%，其中覆晶封裝和晶圓級(jí)封裝占比從2009的11.7%，上升到2014年的15.7%。若單指無(wú)線通訊IC封裝，打線封裝比重將自2010年底的80%，下滑到2012年底的30%，覆晶和晶圓級(jí)封裝同期比重也分別從15%和5%，上升到45%和25%。Prismark認(rèn)為，在IC要求降低成本和容量增加下，帶動(dòng)覆晶和晶圓級(jí)封裝需求攀升。

拓樸日前也預(yù)估，臺(tái)灣封測(cè)產(chǎn)業(yè)第3、4季的產(chǎn)值，將分別達(dá)4= 2億美元、44.1億美元，季增率分別為7.2%、9.6%，若以全年來(lái)看，臺(tái)灣封測(cè)產(chǎn)業(yè)全年年增率達(dá)10.1%，優(yōu)于全球7.4%水準(zhǔn)。

矽品認(rèn)為，目前IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)有3，包括平均單價(jià)隨著整體電子產(chǎn)業(yè)腳步而下滑，材料成本高升仍是主要的壓力，尤其是金和銀單價(jià)節(jié)節(jié)高升，其中金價(jià)從每盎司400元急漲到1,500美元，成為侵蝕毛利率的主因，以及材料對(duì)外商高度依賴，也是一種挑戰(zhàn)，日震帶來(lái)的斷鏈危機(jī)就是活生生的例子。

另外，新的挑戰(zhàn)來(lái)自于新技術(shù)如晶圓級(jí)植凸塊、晶片尺寸封裝(CSP)、矽穿孔(TSV)等，推升上游IC晶圓廠也延伸到后段制程，使得IC封測(cè)廠和晶圓廠成為既合作又競(jìng)爭(zhēng)的局面。

此外，當(dāng)IC體積縮小，卻又必須達(dá)到高效能、低耗電、低成本等要求，矽品認(rèn)為，這已帶動(dòng)銅柱、層疊封裝和TSV 3D IC興起。3D IC將是后PC時(shí)代主流，現(xiàn)在也已看到臺(tái)灣多家封測(cè)大廠包括日月光、矽品、力成等，均積極部署3D堆疊封裝技術(shù)，預(yù)期2011年為3D IC起飛的元年，2012年起將可以見(jiàn)到明顯增溫態(tài)勢(shì)。

據(jù)指出，未來(lái)要達(dá)到異質(zhì)IC封裝的水準(zhǔn)，將會(huì)以多晶片封裝(MCP)技術(shù)為主，可應(yīng)用于微機(jī)電(MEMS)、影像感測(cè)? CIS)等產(chǎn)品上。另外，包括晶圓級(jí)封裝等高階的封裝技術(shù)，將成為2012年封裝業(yè)者的獲利關(guān)鍵。