三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)29日公布，2014年第1季(1-3月)半導體部門合并營收年增9%(季減10%)至9.39兆韓圜；合并營益年增82%(季減2%)至1.95兆韓圜。三星指出，1-3月記憶體營收年增23%(季減3%)至6.29兆韓圜。
三星指出，1-3月雖是行動裝置傳統(tǒng)淡季，但伺服器、游戲機繪圖解決方案對記憶體的需求仍強勁，該公司也擴大高階的20奈米DRAM制程產(chǎn)能，進一步改善獲利率。另外，NAND型快閃記憶體(NAND Flash)事業(yè)雖然面臨均價下滑的困境，但在該公司積極因應高容量記憶卡的需求、以及高附加價值的3位元NAND Flash銷量攀升的帶動下，整個部門的獲利仍得以維持。
在系統(tǒng)LSI部門方面，行動應用處理器(AP)需求受到淡季效應影響，使得營收呈現(xiàn)季減。不過，CMOS影像感測器(CIS)的營收卻在次世代影像感測器技術(shù)「ISOCELL」發(fā)表后逐漸攀升。

展望本季(Q2)，三星預估伺服器、繪圖相關(guān)DRAM需求將保持強勁，而PC、行動裝置的DRAM需求也會逐漸增溫。三星將繼續(xù)轉(zhuǎn)移至20奈米制程技術(shù)、增加高附加價值且具有差異性的產(chǎn)品，藉此提升或利率。另外，資料中心的伺服器DRAM、固態(tài)硬碟(SSD)需求應該會持續(xù)上升。
展望2014年，三星預估DRAM供需將保持平衡，而資料中心、PC用SSD對NAND Flash則會上升。
另外，三星還表示，透過與專業(yè)晶圓代工廠格羅方德半導體(GlobalFoundries Inc.)對14奈米制程技術(shù)的合作，中期成長前景將更佳。barrons.com部落格4月21日報導，Susquehanna金融集團分析師Mehdi Hosseini指出，三星電子將最先進的14奈米FinFET(鰭式場效電晶體)生產(chǎn)技術(shù)授權(quán)給格羅方德，臺積電(2330)未來的產(chǎn)品均價恐將因而走低。
全球第2大記憶體制造商SK Hynix Inc.甫于日前宣布，在DRAM需求改善、之前因失火而停擺的無錫廠房恢復量產(chǎn)的帶動下，第1季(1-3月)凈利飆升逾4倍。
韓國聯(lián)合通訊社(Yonhap)、路透社報導，SK Hynix 4月24日公布的第1季(1-3月)財報顯示：凈利由去年同期的1,787億韓圜狂升348.9%至8,022億韓圜(7.717億美元)；營收年增34.6%至3.74兆韓圜；營益從去年同期的3,169億韓圜大增至1.05兆韓圜，為自2013年第3季以來首度站上1兆韓圜大關(guān)。根據(jù)Thomson Reuters I/B/E/S調(diào)查，分析師原本預期該公司Q1營益將達9,710億韓圜。