臺(tái)積電16奈米及InFO WLP先進(jìn)制程布局
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位元應(yīng)用處理器代工市場(chǎng)已是毫無(wú)敵手，可望直取英特爾SoFIA、蘋(píng)果A9大單。

臺(tái)積電今年全力沖刺20奈米系統(tǒng)單晶片制程（20SoC）產(chǎn)能，由于已搶下蘋(píng)果A8處理器及高通、英特爾、輝達(dá)（NVIDIA）等大單，不僅第1座支援20奈米12寸廠南科Fab14第5期已全產(chǎn)能投片，第2座12寸廠Fab14第6期將在7月正式進(jìn)入量產(chǎn)，將成為臺(tái)積電第3季營(yíng)收挑戰(zhàn)2,000億元新高的重要?jiǎng)幽堋?br>
臺(tái)積電原本計(jì)劃在今年底轉(zhuǎn)進(jìn)16奈米FinFET制程，但因許多客戶認(rèn)為16奈米FinFET與目前量產(chǎn)中的20奈米SoC制程相較，效能及功耗上并無(wú)太明顯的差距，也因此，臺(tái)積電加快腳步開(kāi)發(fā)出16奈米FinFET Plus制程，除了可較16奈米FinFET技術(shù)提高15％效能，在同一速度下還可降低30％的功耗。

采用16奈米FinFET Plus技術(shù)的首顆晶片將在本月完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），今年內(nèi)完成設(shè)計(jì)定案的晶片數(shù)量可達(dá)16顆，明年將放大到45顆。由于上游客戶對(duì)于16奈米FInFET Plus需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于原先規(guī)畫(huà)，所以臺(tái)積電明年資本支出將維持在100億美元高水準(zhǔn)，全力擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)強(qiáng)勁需求。

除了在晶圓制程上的推陳出新，臺(tái)積電也決定提高在SiP制程上的研發(fā)力道，除了目前已開(kāi)始小量生產(chǎn)的CoWoS技術(shù)之外，針對(duì)中低階處理器市場(chǎng)量身打造的InFO WLP封裝技術(shù)也可望在今年底開(kāi)始生產(chǎn)，同時(shí)可支援Wide IO介面DRAM晶片的封裝內(nèi)建封裝（PoP）技術(shù)。

臺(tái)積電明年靠著16奈米FinFET Plus及InFO WLP等兩大武器，不僅可以有效對(duì)抗三星及格羅方德（GlobalFoundries）的14奈米FinFET制程聯(lián)軍，還可回防全球最大半導(dǎo)體廠英特爾的步步進(jìn)逼。

業(yè)界人士指出，臺(tái)積電整合16奈米FinFET Plus及InFO WLP所推出的一元化（turnkey）服務(wù)，可將64位元應(yīng)用處理器的運(yùn)算效能及低功耗特色發(fā)揮到極致，對(duì)手因技術(shù)及產(chǎn)能無(wú)法追趕上，臺(tái)積電等同于將通吃x86或ARM架構(gòu)的64位元處理器代工市場(chǎng)訂單，英特爾SoFIA及蘋(píng)果A9兩大訂單等于手到擒來(lái)。