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[導(dǎo)讀]根據(jù)Extremetech網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),極紫外光(EUV)微影技術(shù)仍待克服,以及18吋晶圓計(jì)畫(huà)目前仍充滿變數(shù),種種消息對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,已出現(xiàn)技術(shù)亟待突破的關(guān)鍵期。2012年,臺(tái)積電、英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronic

根據(jù)Extremetech網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),極紫外光(EUV)微影技術(shù)仍待克服,以及18吋晶圓計(jì)畫(huà)目前仍充滿變數(shù),種種消息對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,已出現(xiàn)技術(shù)亟待突破的關(guān)鍵期。2012年,臺(tái)積電、英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronics)傳出將支持歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商ASML發(fā)展18吋(450mm)晶圓,外界一致認(rèn)為產(chǎn)業(yè)對(duì)發(fā)展18吋晶圓有所共識(shí)。但2013年12月ASML傳出該計(jì)畫(huà)暫停,英特爾Fab D1X與Fab 42 18吋晶圓廠也傳出暫停消息。 18吋晶圓能否成真,也攸關(guān)EUV技術(shù)發(fā)展。從193nm微影技術(shù)進(jìn)步到EUV技術(shù)后,其實(shí)仍有諸多技術(shù)問(wèn)題有待克服,其中之一就是光源能(source power)??上攵?,要轉(zhuǎn)換到EUV技術(shù)與18吋晶圓所衍生的巨大成本,可能是要考量因素之一。EUV原可降低過(guò)去使用雙重曝光(Double Patterning)帶來(lái)的較高成本,18吋晶圓成本雖高,但較大面積使IC數(shù)量增加可以抵銷當(dāng)中成本,而且18吋晶圓具生產(chǎn)量( throughput)較高特點(diǎn)。但只要EUV技術(shù)無(wú)法順利派上用場(chǎng),等于宣告18吋晶圓無(wú)用武之地。對(duì)此,為了顧及可能流失12吋晶圓(300mm)市場(chǎng),三星據(jù)傳已打算暫停18吋晶圓供貨計(jì)畫(huà)。2014年2月的SPIE先進(jìn)微影技術(shù)研討會(huì)上,工程師已正式宣告被奉為半導(dǎo)體界發(fā)展圭臬的「摩爾定律」(Moore's law)已經(jīng)告終。因?yàn)槟壳?0nm節(jié)點(diǎn)下電晶體(transistor)成本下降已無(wú)法再尋求突破,也令人擔(dān)憂未來(lái)EUV與18吋晶圓的發(fā)展。一般認(rèn)為更新一代制程技術(shù),可因GPU與CPU電晶體數(shù)量增加,而讓每單位面積成本下降,因?yàn)槊芏忍岣吆蟠砩a(chǎn)的數(shù)量可增加,每平方毫米成本因此獲得降低。理論上,即使單一電晶體成本增加,大尺寸晶圓每平方毫米可制造電晶體數(shù)量也會(huì)提高,但密度增加??也代表晶圓成本增加。因此,可降低雙重曝光衍生高成本的EUV技術(shù)與較大面積的18吋晶圓于是就被賦予眾望。臺(tái)積電在2014年SPIE先進(jìn)微影技術(shù)研討會(huì)上,曾嚴(yán)詞批評(píng)ASML的EUV技術(shù)進(jìn)度落后,并表示18吋晶圓推出時(shí)程,可能會(huì)再延后9年。這種說(shuō)法,在業(yè)界來(lái)說(shuō),其實(shí)就是委婉地表示:這事已不會(huì)發(fā)生。據(jù)專家Chris Mack指出,從長(zhǎng)期趨勢(shì)可得知,微影技術(shù)占總制造成本比例越來(lái)越高。如果微影技術(shù)在低于14nm下仍無(wú)法符合經(jīng)濟(jì)效益,只好從別處設(shè)法尋求降低成本。他認(rèn)為目前只有3D電晶體與直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術(shù),是處理器設(shè)計(jì)唯一可行之路,也有人認(rèn)為結(jié)合全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator)與FinFET設(shè)計(jì)或發(fā)展閘極環(huán)繞(gate-all-around)技術(shù)。但這些共通點(diǎn)就是都存在未知數(shù)。過(guò)去數(shù)十年來(lái),半導(dǎo)體工程師都大致認(rèn)同當(dāng)代與未來(lái)應(yīng)發(fā)展的技術(shù),即使各自晶圓廠采用不同制程,例如28nm有人采用前閘極(Gate-First)或采用后閘極,但都不影響長(zhǎng)期趨勢(shì)發(fā)展。但如果EUV技術(shù)在10nm無(wú)法與18吋晶圓相輔相成,達(dá)到降低成本效益,代表后續(xù)仍有一籮筐棘手的技術(shù)與經(jīng)濟(jì)效益問(wèn)題亟待解決,任何人一旦押寶錯(cuò)誤技術(shù),都可能導(dǎo)致流失市場(chǎng)以及投入巨大研發(fā)經(jīng)費(fèi)最后付諸流水的后果。 TOP▲


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開(kāi)關(guān)電源具有效率高的特性,而且開(kāi)關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機(jī)重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動(dòng)電源

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 開(kāi)關(guān)電源

LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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