III-V族半導體磊晶廠F-IET(4971,英特磊)董事長康潤生指出，III-V族半導體產業(yè)正在快速整合，2013年幾樁海外大廠的合并案證實此一趨勢加速發(fā)生，F-IET也選擇和法國大廠Soitec結盟，進一步取得更高的產能和先進技術，尤其有利于F-IET未來轉進高聚光型太陽能(HCPV)市場，占據更佳的競爭利基。

F-IET董事長康潤生表示，去年間IQE買下Kpoin磊晶產線、RFMD和TriQuint合并案，都證明III-V族半導體產業(yè)正加速整合腳步，市況更趨穩(wěn)定，F-IET看好今年市況將優(yōu)于去年，亦決議攜手法國Soitec，藉著引進更高產能和技術，取得競爭優(yōu)勢。

康潤生說明，RFMD和TriQuint合并，短期內看不到明顯的影響，因為公司已經是TriQuint認證廠商，就算TriQuint有供應商規(guī)則的改變，也需要費時的認證流程，且F-IET在業(yè)界供應鏈里頭具有穩(wěn)固地位，客戶產品線的掌握上，算是可攻可守，并不會有明顯的影響。

同時，F-IET也藉由和法國Soitec的合作，取得先進技術與產能，有利于未來的競爭優(yōu)勢，康潤生指出，Soitec既有客戶以工業(yè)應用為主，這塊領域是F-IET非常想要著墨的，和公司在美國、日本的客戶群是非常不一樣，有龐大的互補空間。

另一方面，III-V族材料在聚光型的太陽能應用非常廣泛，Soitec在該領域著墨甚深，未來成長空間看俏，康潤生看好HCPV聚光型III-V材料在未來3-5年內將有成長空間爆發(fā)，且Soitec也是用MBE(分子束磊晶)設備，和F-IET一樣，雙方將可藉由技術合作，提升MBE用于HCPV磊晶生產的效益，進一步加速跨足HCPV市場的機會。

而就F-IET自家產能擴張計劃來看，康潤生指出，F-IET在美國、中國共擁有三座生產基地，去年不僅完成天津廠區(qū)的設置，位于美國德州Richardson的廠區(qū)今年則要進一步實施擴產，整體生產力的設定將持續(xù)擴張。

F-IET去年營收為5.7億元，年增2.2%，毛利率為42.1%、營益率18.7%，毛利率與營益率較前年的42.5%、21.7%下滑；累計2013年全年，F-IET稅后盈余為1.05億元，年減10.3%，EPS為3.81元。