化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）是一個(gè)移除制程，是藉著結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨來(lái)剝除沉積的薄膜，使集成電路（IC）表面更平滑、平坦。

CMP的優(yōu)點(diǎn)是允許高分辨率微影技術(shù)的圖案化步驟，當(dāng)元件尺寸縮小時(shí)，微影技術(shù)的分辨率就會(huì)變愈高，也就是欲使元件尺寸愈小，其表面的粗糙度必須愈小，才能確保微影技術(shù)的分辨率，CMP制程就是扮演讓IC表面更平坦的關(guān)鍵制程。