據(jù)南韓電子新聞報導，存儲器三強三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)，正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結(jié)束后，三大廠認為以25納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤，因此相較于應(yīng)用處理器(AP)和快閃存儲器(NAND Flash)，DRAM的微細制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。然而，三星將DRAM制程從25納米轉(zhuǎn)換到20納米，再度點燃微細制程戰(zhàn)火。 NAND Flash已跨入10納米級制程，系統(tǒng)芯片也因鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)發(fā)展，即將轉(zhuǎn)進10納米世代。領(lǐng)先業(yè)者間的微細制程技術(shù)研發(fā)競爭轉(zhuǎn)為激烈，DRAM也可望迎來10納米級制程時代。20納米制程不需要執(zhí)行新投資也能利用既有的設(shè)備生產(chǎn)。三星已示范成功范例，SK海力士和美光也正在研發(fā)可不執(zhí)行投資就能進行20納米制程的技術(shù)。未來DRAM市場的決勝關(guān)鍵，在于是否能跨入10納米級制程。首先必須要突破曝光技術(shù)的瓶頸。目前雙重微影技術(shù)(DPT)在20納米制程已達上限。 DRAM業(yè)者為因應(yīng)10納米級制程，正在準備四重微影技術(shù)(QPT)。曝光制程雖然增加，但能采用既有的浸潤式微影設(shè)備(Immersion Lithography)。長期而言，DRAM廠也將會引進極紫外線(EUV)曝光技術(shù)。STT-MRAM技術(shù)引進后，電容器將改成磁隧道接點(Magnetic Tunneling Junction)結(jié)構(gòu)。 DRAM微細制程技術(shù)越高度化，就越難形成電容器。電容器幅度縮減、長度越長。制程中電容器將影響DRAM的生產(chǎn)良率。STT-MRAM的制程與DRAM制程相似度接近95%，可使用既有的設(shè)唄。三星為確保STT-MRAM技術(shù)，2011年時購并了Grandis。 SK海力士則與東芝(Toshiba)共同研發(fā)STT-MRAM。使用矽穿孔技術(shù)的3D封裝技術(shù)也對DRAM的競爭力造成不小影響。矽穿孔技術(shù)是在矽晶圓上穿出10?的小孔，并填入銅，以電力使上下片互相連接的技術(shù)。相較于過去的PoP封裝技術(shù)，可縮減35%體積，耗電量也能縮減到一半，且傳輸速度快8倍以上。南韓證券分析師指出，DRAM微細制程從30納米級轉(zhuǎn)入20納米級時，高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)和雙重微影技術(shù)扮演了相當重要的角色。從20納米轉(zhuǎn)入10納米級制程時，四重微影、STT-MRAM、矽穿孔等技術(shù)則將影響DRAM業(yè)者間的競爭力。 TOP▲