看準(zhǔn)半導(dǎo)體廠力拼20奈米和3D制程技術(shù)，設(shè)備廠努力扮演軍火供應(yīng)商角色，瞄準(zhǔn)商機(jī)進(jìn)行布局，其中晶圓代工業(yè)者和NAND Flash業(yè)者進(jìn)入20奈米和3D世代后，由于有新材料和制程改變，對(duì)于設(shè)備需求將分別增加25~35%，這是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)最大驅(qū)動(dòng)力。

全球半導(dǎo)體晶圓設(shè)備產(chǎn)業(yè)已連續(xù)4年資本支出都達(dá)300億美元以上水準(zhǔn)，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)統(tǒng)計(jì)，2013年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)模達(dá)320.2億美元，較前一年減少13.3%，但2014年可出現(xiàn)23.2%年增率的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)可達(dá)394.6億美元，主要投資以晶圓代工和NAND Flash產(chǎn)業(yè)為主，DRAM產(chǎn)業(yè)持平，同時(shí)臺(tái)灣有機(jī)會(huì)持續(xù)蟬聯(lián)全球半導(dǎo)體設(shè)備支出第一名。

2014年半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模大成長(zhǎng)，主要受惠技術(shù)世代轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米和3D制程，尤其晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電2014年的資本支出維持2013年的高水準(zhǔn)，逼近100億美元；三星電子(Samsung Electronics)投資生產(chǎn)3D NAND的西安廠即將量產(chǎn)；華亞科2014年將為20奈米制程作準(zhǔn)備，資本支出也破新臺(tái)幣百億元。

2014年是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)20奈米和3D NAND技術(shù)起飛的一年，從傳統(tǒng)的2D架構(gòu)轉(zhuǎn)到3D技術(shù)，材料和技術(shù)結(jié)構(gòu)都有很大創(chuàng)新，對(duì)于蝕刻和薄膜沉積的需求提升，且介面工程(interface engineering)重要性提升，整合性系統(tǒng)產(chǎn)品也是產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)之一。

過(guò)去半導(dǎo)體制程花在微影(Litho)技術(shù)上的研發(fā)金費(fèi)逐年攀升(主要供應(yīng)商為ASML)，但NAND Flash制程技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND后，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備商是另一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，因?yàn)長(zhǎng)itho不會(huì)再是半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵，這可讓Litho成本大幅減少。

再者，3D NAND制程世代上，化學(xué)沉積(CVD)、蝕刻(Etch)和薄膜機(jī)臺(tái)需求反而大增上，概略估計(jì)，平面式電晶體轉(zhuǎn)變成3D NAND電晶體架構(gòu)之后，對(duì)于CVD和Etch機(jī)臺(tái)需求量將增加50%。

以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)別來(lái)看，晶圓代工產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)是從氮氧化矽到HKMG，再轉(zhuǎn)進(jìn)3D FinFET制程技術(shù)，從28奈米HKMG制程轉(zhuǎn)進(jìn)16/14奈米的FinFET制程，這種半導(dǎo)體新的電晶體架構(gòu)出現(xiàn)，以及新材料需求，預(yù)計(jì)可帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增加25~35%商機(jī)。

主要集中在磊晶制程、金屬柵極、快速升溫回火(RPT)、離子植入、化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)等相關(guān)制程設(shè)備上。

在NAND Flash產(chǎn)業(yè)，從2D平面式架構(gòu)轉(zhuǎn)到3D技術(shù)，預(yù)計(jì)也可帶給半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)25~35%商機(jī)的增幅，主要因?yàn)?D NAND需要在更小的體積內(nèi)容納更高位元密度，對(duì)于設(shè)備業(yè)的高深寬比蝕刻(high aspect etch)、次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)、高密度電漿化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)等相關(guān)機(jī)臺(tái)需求大增。

進(jìn)入20奈米和3D NAND技術(shù)后，對(duì)于新增加的機(jī)臺(tái)設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備龍頭廠美商應(yīng)用材料(Applied Materials)受益最大，主要是布局此兩大趨勢(shì)已久。

目前臺(tái)灣是應(yīng)材營(yíng)收比重最大的區(qū)域，以2013年第4季為例，臺(tái)灣占營(yíng)收比重約30%，其次美國(guó)18%、日本14%、韓國(guó)和歐洲都各12%，大陸10%。

360°：半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)展望
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)統(tǒng)計(jì)，2013年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模約320億美元，較2012年減少13.3%，但臺(tái)灣仍成長(zhǎng)7%，針對(duì)2014年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，預(yù)估可以強(qiáng)勁反彈23.2%達(dá)394.6億美元，且此成長(zhǎng)趨勢(shì)可以持續(xù)至2015年。

其中，晶圓制程相關(guān)機(jī)臺(tái)設(shè)備的營(yíng)收貢獻(xiàn)仍是最高，封裝設(shè)備市場(chǎng)則下跌22.1%，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)也下降。

以各地區(qū)來(lái)看，臺(tái)灣、南韓和北美是半導(dǎo)體設(shè)備資本支出最高的地區(qū)，2013年設(shè)備資本支出下跌的地區(qū)則包括南韓，北美和歐洲。

未來(lái)驅(qū)動(dòng)各半導(dǎo)體廠投資的新技術(shù)為20奈米FinFED和3D NAND制程，需要的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備成長(zhǎng)，帶動(dòng)相關(guān)業(yè)者資本支出再攀高，其中臺(tái)積電2014年資本支出與2013年相當(dāng)，接近100億美元，三星電子(Samsung Electronics)負(fù)責(zé)生產(chǎn)3D NAND的西安廠也即將量產(chǎn)，東芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)在日本四日市的Fab 5新廠房也將量產(chǎn)。