全球450聯(lián)盟(G450C)在IEDM 2013上介紹了正在美國納米科學(xué)與工程學(xué)院（College of Nanoscale Science and Engineering）的開發(fā)基地開發(fā)的450mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備的初步評估結(jié)果（演講序號：13.6）。演講者是G450C總經(jīng)理John Lin（臺積電）。

G450C在全球首個(gè)450mm晶圓無塵室中設(shè)置了工藝開發(fā)用生產(chǎn)設(shè)備，該聯(lián)盟的加盟企業(yè)正在聯(lián)手推進(jìn)技術(shù)開發(fā)。2013年將設(shè)置34臺生產(chǎn)設(shè)備，累計(jì)可以利用41臺生產(chǎn)設(shè)備。當(dāng)前正在進(jìn)行14nm工藝技術(shù)的實(shí)際驗(yàn)證，計(jì)劃2016年之前完成7nm工藝技術(shù)的實(shí)證實(shí)驗(yàn)。John Lin表示，預(yù)計(jì)將利用該成果，“由參與G450C的半導(dǎo)體廠商在2018～2019年采用450mm晶圓開始量產(chǎn)”。


設(shè)置的生產(chǎn)設(shè)備臺數(shù)（點(diǎn)擊放大）

關(guān)于曝光設(shè)備的計(jì)劃（點(diǎn)擊放大）
在演講中，John Lin根據(jù)不同制造工藝介紹了使用G450C設(shè)置的生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行了驗(yàn)證的晶圓處理結(jié)果。John Lin表示，“結(jié)果均好于預(yù)期”。比如，在多晶硅的蝕刻中，按照3σ值可將450mm晶圓整面的處理速度偏差降至1.8％。CVD的偏差（1σ值）方面，氧化膜為2.2％、SiN膜為0.66％。此外，CMP（化學(xué)機(jī)械研磨）的偏差（3σ值）降至3.8％、鍍銅的偏差（1σ值）降至1.63％。


利用DSA工藝形成圖案（點(diǎn)擊放大）

CVD的均勻性（點(diǎn)擊放大）
據(jù)介紹，今后最大的課題是曝光設(shè)備的開發(fā)。由于微細(xì)化與大口徑化均在發(fā)展，因此必須將CD（臨街尺寸）偏差降至1nm以下、將疊加精度降至1nm。還必須開發(fā)高速運(yùn)動的載物臺等，提高處理能力。曝光設(shè)備方面，將于2014年下半年在尼康的開發(fā)基地利用ArF液浸裝置開始圖形化實(shí)驗(yàn)，在2015年下半年將該公司的裝置配備到G450C的研發(fā)基地。計(jì)劃在2016年下半年前后配備支持450mm的EUV曝光裝置。由于目前無法利用450mm曝光裝置，因此利用DSA工藝在450mm晶圓上成功形成了28nm間距的線寬及線間隔圖案。（記者：大下 淳一，日經(jīng)BP半導(dǎo)體調(diào)查）