聯(lián)電(2303)今(30)日召開法說，外界也持續(xù)聚焦其于28奈米的最新進度。聯(lián)電財務長劉啟東(見附圖)坦言，該公司仍維持28奈米今年底前低個位數(shù)百分點(low single-digit)的預估不變，且估計明年Q1也會維持相仿的比重，至于28奈米營收比重何時會超過5%？他則表示目前還難預估，仍要視市場終端需求能量而定。聯(lián)電執(zhí)行長顏博文則表示，28奈米PolySiON今年Q4即會進入pre-production階段，至于28奈米HKMG(高介電常數(shù)金屬閘極)制程，則有機會在明年下半年產(chǎn)生營收貢獻。
顏博文表示，聯(lián)電的28奈米開始逐步出現(xiàn)一點動能(momentum)，目前已有超過20個客戶，已有30個以上的tape-out，且也有5個產(chǎn)品進入了pre-production階段，且目前的幾個案子中，也不僅限于通訊產(chǎn)品。不過，公司仍維持今年底前，28奈米營收占比為低個位數(shù)百分點的預估不變。
顏博文進一步說明，28奈米HKMG的技術確實較PolySiON制程來得困難，不過事實上，聯(lián)電的28奈米HKMG制程有兩個版本，其中一個進度相當不錯，良率甚至已經(jīng)達到80%以上，另一個良率則還偏低。而估計28奈米HKMG制程量產(chǎn)的時間點，會落在28奈米PolySiON制程的2~3季之后。

此外，在40奈米制程的部分，顏博文則表示，制程的轉(zhuǎn)移將持續(xù)，并成為聯(lián)電40奈米第二波客戶的成長來源，包括在高壓制程的部分，有些產(chǎn)品會從8寸轉(zhuǎn)向12寸，也有些embedded/memeory的相關產(chǎn)品，會從65奈米轉(zhuǎn)向40奈米，將為聯(lián)電創(chuàng)造新的動能。他也強調(diào)，即使中國晶圓廠競爭投入40、65奈米，乃至高壓等特殊制程，但聯(lián)電目前并未感受到明顯的40奈米價格壓力，而聯(lián)電于上述制程的技術也還是領先這些中國的對手。
根據(jù)聯(lián)電釋出的Q4營運展望， Q4晶圓出貨量將季減8~10%，以美金計價的產(chǎn)品ASP將季減2%，而在晶圓本業(yè)的營業(yè)利益估計僅將在損平點附近徘徊，晶圓廠的Q4稼動率估達75%上下(mid 70% range)，其中又以12寸廠稼動率下滑幅度更大。至于在包括太陽能、LED的新事業(yè)轉(zhuǎn)投資狀況，此部分Q4的營收約在22億元之譜，虧損金額估在5.5億元。
對此，顏博文補充，Q4 ASP的下滑主要是由于12寸晶圓的部分掉的較多，估計Q4 8寸廠的稼動率約還可以支撐在80%，12寸廠就比較低。另外，若就產(chǎn)品應用別來看，Q4消費性電子、通訊、電腦訂單都會下滑，消費性電子主要來自機上盒、SSD的衰退，通訊則是來自基頻晶片(baseband)的下滑，電腦部分，包括觸控/Flash controller的需求都會下滑。由于通訊于聯(lián)電營收占比最高(Q3達52%)，因此估計Q4絕對金額也會有最劇烈的修正。
此外，聯(lián)電于今年6月宣布加入IBM的技術開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程等技術。對此財務長劉啟東說明，為此聯(lián)電也必須支付一定金額的研發(fā)費用，因此估計到明年底之前，聯(lián)電RD費用都會維持與今年Q3相仿的水準(約30多億元)。